[發(fā)明專利]一種提升閃存芯片性能的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611161176.0
• 申請日: 2016-12-15
• 公開（公告）號: CN106601306B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陸磊;周第廷
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44;G11C29/50
• 代理公司: 31272 上海申新律師事務(wù)所
• 代理人: 俞滌炯

1.一種提升閃存芯片性能的方法，所述閃存芯片包括一存儲陣列，所述存儲陣列包括多個扇區(qū)，每個所述扇區(qū)包括多個存儲單元，每個所述存儲單元用以保存一位數(shù)據(jù)；

提供一第一擦除參考電流，用于與所述存儲單元內(nèi)的電流進行比較以判斷所述存儲單元內(nèi)保存的數(shù)據(jù)是否被擦除；

提供一第一規(guī)格時間，用于判斷所述扇區(qū)在擦除過程中是否超時失效；

其特征在于，所述方法包括：

步驟S1，以高于所述第一擦除參考電流的一第二擦除參考電流為標準對每個所述扇區(qū)分別進行擦除操作；

步驟S2，以短于所述第一規(guī)格時間的一第二規(guī)格時間為標準分別判斷每個所述扇區(qū)的擦除時間是否超時，并記錄所有超時的所述扇區(qū)；

步驟S3，搜尋超時的所述扇區(qū)中擦除最慢的所述存儲單元，并分別記錄每個超時的所述扇區(qū)中擦除最慢的所述存儲單元的地址；

步驟S4，對每個所述地址分別進行分析，以根據(jù)分析結(jié)果分別對每個所述地址對應(yīng)的所述存儲單元進行修復。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，搜尋超時的每個所述扇區(qū)中擦除最慢的所述存儲單元的具體方法為：

在所述存儲單元的字線上提供一階梯電壓，采用所述階梯電壓按照由高到低的次序以讀的方式分別搜尋整個超時的所述扇區(qū)，于搜尋到第一個所述存儲單元時將所述存儲單元定義為擦除最慢的所述存儲單元，并停止當前扇區(qū)中的搜尋。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

步驟S5，以所述第一擦除參考電流和所述第一規(guī)格時間為標準分別對每個修復后的所述存儲單元所在的所述扇區(qū)進行正常的擦除測試；

步驟S6，如所述擦除測試通過，則將所述第二擦除參考電流恢復至所述第一擦除參考電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述階梯電壓中的最高電壓高于一預(yù)設(shè)上限；

所述預(yù)設(shè)上限為所述存儲單元在擦除狀態(tài)下的最大閾值電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)上限為4.5V。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述階梯電壓中大小相鄰的電壓值之間的差值相等。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述差值為0.1V。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對每個所述地址分別進行分析之前需要對每個所述地址進行壓縮。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，搜尋超時的所述扇區(qū)的操作為讀操作。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，提供一測試機；

所述測試機提供所述擦除操作和讀操作所需的測試信號，以及

所述測試機記錄所述地址。