[發(fā)明專利]一種制作透射電鏡樣品的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611161151.0
• 申請(qǐng)日: 2016-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN106596609B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭偉;仝金雨;劉君芳;李桂花
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): G01N1/28
• 分類號(hào): G01N1/28
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發(fā)明提供了一種制作透射電鏡樣品的方法，其中，提供一待觀測(cè)硅片，待觀測(cè)硅片中包括一失效點(diǎn)，包括以下步驟：對(duì)待觀測(cè)硅片中的失效點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記以形成標(biāo)記區(qū)域；切割待觀測(cè)硅片以獲取包含標(biāo)記區(qū)域的六面體；提供一單晶硅制成的載體硅片，切割載體硅片的上表面，以獲取一凹槽；通過液體膠將六面體與標(biāo)記區(qū)域相鄰的側(cè)面粘貼于凹槽內(nèi)，并使六面體平行于凹槽的邊緣；通過粘貼有六面體的載體硅片及六面體進(jìn)行切割，以獲得透射電鏡樣品。其技術(shù)方案的有益效果在于，實(shí)現(xiàn)提升制作透射電鏡樣品精度，提高透射電鏡樣品制作效率，解決了有技術(shù)中制作透射電鏡樣品易出現(xiàn)失效點(diǎn)打磨過度造成透射電鏡樣品制作失敗的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片失效點(diǎn)分析領(lǐng)域，尤其涉及一種制作透射電鏡樣品的方法。

背景技術(shù)

集成電路在研制、生產(chǎn)和使用過程中失效不可避免，隨著人們對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來越重要，通過芯片失效分析，可以幫助集成電路設(shè)計(jì)人員找到設(shè)計(jì)上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設(shè)計(jì)與操作中的不當(dāng)?shù)葐栴}。同時(shí)失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。為設(shè)計(jì)工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計(jì)，使之與設(shè)計(jì)規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。失效分析可以評(píng)估不同測(cè)試向量的有效性，為生產(chǎn)測(cè)試提供必要的補(bǔ)充，為驗(yàn)證測(cè)試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎(chǔ)。

目前，采用透射電鏡觀測(cè)芯片失效點(diǎn)是失效分析中的常用手段，通過透射電鏡觀測(cè)芯片失效點(diǎn)需要先制備包含失效點(diǎn)的透射電鏡平面樣品。現(xiàn)有技術(shù)中，制備特定失效點(diǎn)的透射電鏡平面樣品所采用的方法是：先在聚焦離子束機(jī)臺(tái)內(nèi)用離子束刻蝕的方法在需要觀測(cè)的失效點(diǎn)附近做標(biāo)記，然后用人工研磨的方法將硅片的一個(gè)截面研磨到距離失效點(diǎn)約1～2微米，最后豎著放到聚焦離子束機(jī)臺(tái)中制備透射電鏡樣品，現(xiàn)有的制作方式存在著以下問題，首先用人工機(jī)械研磨的方法將硅片的一個(gè)截面研磨到距離失效點(diǎn)1～2微米很難把握，很容易將失效點(diǎn)磨過。失效點(diǎn)一般位于單晶硅襯底上的層次，因此在制備平面透射電鏡樣品過程中會(huì)將單晶硅切掉，由于樣品未包含單晶硅，在透射電鏡中進(jìn)行觀察的時(shí)候，無法通過單晶硅進(jìn)行角度校正，無法保證電子束垂直于樣品入射，得到的透射電鏡圖像就不能真實(shí)反應(yīng)樣品的真實(shí)形貌和尺寸。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中在制作透射電鏡樣品過程中存在的上述問題，現(xiàn)提供一種旨在實(shí)現(xiàn)提升制作透射電鏡樣品精度，提高透射電鏡樣品制作效率，解決了有技術(shù)中制作透射電鏡樣品易出現(xiàn)失效點(diǎn)打磨過度造成透射電鏡樣品制作失敗的制作透射電鏡樣品的方法。

具體技術(shù)方案如下：

一種制作透射電鏡樣品的方法，其特征在于，提供一待觀測(cè)硅片，所述待觀測(cè)硅片中包括一失效點(diǎn)，包括以下步驟：

步驟S1、對(duì)所述待觀測(cè)硅片中的所述失效點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記以形成標(biāo)記區(qū)域；

步驟S2、切割所述待觀測(cè)硅片以獲取包含所述標(biāo)記區(qū)域的六面體；

步驟S3、提供一單晶硅制成的載體硅片，切割所述載體硅片的上表面，以獲取一凹槽；

步驟S4、通過液體膠將所述六面體與所述標(biāo)記區(qū)域相鄰的側(cè)面粘貼于所述凹槽內(nèi)，并使所述六面體平行于所述凹槽的邊緣；

步驟S5、通過粘貼有所述六面體的載體硅片及所述六面體進(jìn)行切割，以獲得透射電鏡樣品。

優(yōu)選的，所述載體硅片的上表面上設(shè)置相互垂直并交叉的槽形成的圖案。

優(yōu)選的，所述凹槽為矩形槽，所述矩形槽的四邊分別與所述槽的延伸方向平行。

優(yōu)選的，所述凹槽的四邊分別與所述凹槽的底部呈45度設(shè)置，所述凹槽底部與所述槽的延伸方向平行。

優(yōu)選的，所述六面體的厚度大于所述凹槽的深度。

優(yōu)選的，提供一聚焦離子束機(jī)臺(tái)，通過所述聚焦離子束機(jī)臺(tái)發(fā)射的聚焦離子束對(duì)所述載體硅片進(jìn)行切割以形成所述凹槽。