[發明專利]一種制作透射電鏡樣品的方法

有效

• 申請號: 201611161151.0
• 申請日: 2016-12-15
• 公開（公告）號: CN106596609B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 郭偉;仝金雨;劉君芳;李桂花
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種制作透射電鏡樣品的方法，其特征在于，提供一待觀測硅片，所述待觀測硅片中包括一失效點，包括以下步驟：

步驟S1、對所述待觀測硅片中的所述失效點進行標記以形成標記區域；

步驟S2、切割所述待觀測硅片以獲取包含所述標記區域的六面體；

步驟S3、提供一單晶硅制成的載體硅片，切割所述載體硅片的上表面，以獲取一凹槽；

步驟S4、通過液體膠將所述六面體與所述標記區域相鄰的側面粘貼于所述凹槽內，并使所述六面體平行于所述凹槽的邊緣；

步驟S5、通過將粘貼有所述六面體的載體硅片及所述六面體進行切割，以獲得透射電鏡樣品。

2.根據權利要求1所述的制作透射電鏡樣品的方法，其特征在于，所述載體硅片的上表面上設置相互垂直并交叉的槽形成的圖案。

3.根據權利要求2所述的制作透射電鏡樣品的方法，其特征在于，所述凹槽為矩形槽，所述矩形槽的四邊分別與所述槽的延伸方向平行。

4.根據權利要求2所述的制作透射電鏡樣品的方法，其特征在于，所述凹槽的四邊分別與所述凹槽的底部呈45度設置，所述凹槽底部與所述槽的延伸方向平行。

5.根據權利要求1所述的制作透射電鏡樣品的方法，其特征在于，所述六面體的厚度大于所述凹槽的深度。

6.根據權利要求1所述的制作透射電鏡樣品的方法，其特征在于，提供一聚焦離子束機臺，通過所述聚焦離子束機臺發射的聚焦離子束對所述載體硅片進行切割以形成所述凹槽。

7.根據權利要求6所述的制作透射電鏡樣品的方法，其特征在于，所述聚焦離子束機臺還用以對所述待觀測硅片進行切割以獲取包含所述標記區域的所述六面體。

8.根據權利要求1所述的制作透射電鏡樣品的方法，其特征在于，所述六面體貼合于所述凹槽的方法采用所述載體硅片的表面涂覆一層所述液體膠，所述六面粘貼于所述凹槽內。

9.根據權利要求1所述的制作透射電鏡樣品的方法，其特征在于，所述六面體貼合于所述凹槽的方法采用將所述六面體與所述凹槽貼合的一面涂覆一層所述液體膠，以粘貼于所述凹槽內。

10.根據權利要求1所述的制作透射電鏡樣品的方法，其特征在于，提供一電爐對粘貼于所述載體硅片以及所述六面體之間的所述液體膠進行烘烤固化。