[發明專利]光學芯片及其制造方法有效
| 申請號: | 201611159257.7 | 申請日: | 2016-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN108227050B | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發明(設計)人: | 樸又珍;鄭智鎬 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體(韓國)有限公司 |
| 主分類號: | G02B1/14 | 分類號: | G02B1/14;H01L27/01;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一種光學芯片的制造方法,包括:
提供一晶圓,所述晶圓包括多個光學芯片,其中每一所述光學芯片包括多個像素,且每一所述像素包括一透鏡;
形成一透鏡保護層在所述光學芯片的所述像素的所述透鏡上,包括:
在所述光學芯片的所述像素的所述透鏡上形成一親水性液態保護材料;以及
對所述親水性液態保護材料進行一烘烤工藝以使所述親水性液態保護材料聚合而形成所述透鏡保護層,其中所述透鏡保護層具有疏水性;
切割所述晶圓以使所述光學芯片分離;
將分離的所述光學芯片配置在一襯底上;以及
將所述透鏡保護層自所述光學芯片的所述像素的所述透鏡上移除以暴露出所述透鏡。
2.如權利要求1所述的制造方法,其中所述親水性液態保護材料包括聚氨酯(polyurethane)及乙二醇異丙醚(2-Isopropoxyethanol)。
3.如權利要求2所述的制造方法,其中聚氨酯的重量百分比介在60%至80%之間,乙二醇異丙醚的重量百分比介在10%至30%之間,且聚氨酯及乙二醇異丙醚的重量百分比和小于或等于100%。
4.如權利要求1所述的制造方法,其中在所述光學芯片的所述像素的所述透鏡上形成所述親水性液態保護材料的步驟包括旋涂工藝、噴淋工藝或浸泡工藝。
5.如權利要求1所述的制造方法,其中所述親水性液態保護材料在攝氏20度至攝氏30度的溫度范圍內形成在所述光學芯片的所述像素的所述透鏡上。
6.如權利要求1所述的制造方法,其中所述烘烤工藝的溫度在攝氏100度至攝氏150度之間,且所述烘烤工藝的時間少于10分鐘。
7.如權利要求1所述的制造方法,其中將所述透鏡保護層自所述光學芯片的所述像素的所述透鏡上移除的步驟包括利用一化學清洗溶液將所述透鏡保護層移除。
8.如權利要求7所述的制造方法,其中所述化學清洗溶液具有弱堿性。
9.如權利要求7所述的制造方法,其中所述化學清洗溶液包括二甲基亞砜(dimethylsulfoxide)、二乙二醇丁醚(diethylene glycolmonobutyl ether)以及聚氧乙烯聚氧丙烯聚合物(polyoxyethylene polyoxypropylene polymer)。
10.如權利要求9所述的制造方法,其中二甲基亞砜的重量百分比介在60%至80%之間、二乙二醇丁醚的重量百分比介在10%至30%之間、聚氧乙烯聚氧丙烯聚合物的重量百分比介在1%至5%之間,且二甲基亞砜、二乙二醇丁醚及聚氧乙烯聚氧丙烯聚合物的重量百分比和小于或等于100%。
11.如權利要求8所述的制造方法,其中利用所述化學清洗溶液將所述透鏡保護層移除的步驟包括將所述化學清洗溶液噴淋在所述透鏡保護層上或將所述透鏡保護層浸泡在所述化學清洗溶液內。
12.如權利要求8所述的制造方法,其中利用所述化學清洗溶液將所述透鏡保護層移除的步驟的溫度在攝氏20度至攝氏30度之間,且利用所述化學清洗溶液將所述透鏡保護層移除的步驟的時間在30秒至120秒之間。
13.如權利要求1所述的制造方法,還包括在形成所述透鏡保護層在所述光學芯片的所述像素的所述透鏡上的步驟之前及在將所述透鏡保護層自所述光學芯片的所述像素的所述透鏡上移除的步驟之后對所述晶圓進行清洗工藝。
14.如權利要求1所述的制造方法,其中所述透鏡保護層的厚度小于10微米。
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