[發明專利]陣列基板和具有該陣列基板的液晶顯示裝置

在審

• 申請號: 201611158544.6
• 申請日: 2016-12-15
• 公開（公告）號: CN107340653A
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 盧正訓;宋根圭;李弦燮
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 弋桂芬

技術領域

本發明構思涉及陣列基板、具有該陣列基板的液晶顯示裝置以及制造陣列基板的方法。

背景技術

顯示裝置的重要性隨著多媒體的發展而提高。因此，各種各樣的顯示裝置諸如液晶顯示器(LCD)、有機發光顯示器(OLED)等正被廣泛地使用。

液晶顯示器(LCD)是目前被最廣泛使用的平板顯示裝置之一，包括其上形成有電場產生電極諸如像素電極和公共電極的兩個基板以及插設在這兩個基板之間的液晶層。LCD配置為電壓被施加到電場產生電極從而在液晶層中產生電場，這于是確定液晶層的液晶分子的取向并控制入射光的偏振，從而顯示期望的圖像。

另外，隨著顯示裝置的分辨率變高，設置在具有相同面積的顯示區域中的像素的數目相對增加。為了驅動每個像素，至少一個薄膜晶體管需要被提供在每個像素中，但是薄膜晶體管形成在被光屏蔽構件覆蓋的光阻擋區域上，因此可能不允許光從其透過。也就是說，隨著光阻擋區域的尺寸在一個像素中變得更大，開口率減小，導致顯示裝置中的退化的圖像品質。

由薄膜晶體管占據的面積在像素中的比率隨著分辨率變高而相對增加，其主要引起開口率的減小。因此，已經進行了各種技術嘗試來減小由薄膜晶體管占據的面積的比率，從而提高開口率。

發明內容

本發明構思的一實施方式提供包括具有高開口率的像素的陣列基板。

本發明構思的另一實施方式提供包括具有穩定的電特性的薄膜晶體管的陣列基板。

本發明構思的另一實施方式提供適于高分辨率顯示裝置的陣列基板。

本發明構思的另一實施方式提供具有高開口率的液晶顯示裝置。

本發明構思的另一實施方式提供包括具有穩定的電特性的薄膜晶體管的液晶顯示裝置。

本發明構思的另一實施方式提供適于高分辨率顯示裝置的液晶顯示裝置。

本發明構思的另一實施方式提供一種用于制造包括具有高開口率的像素的陣列基板的方法。

本發明構思的另一實施方式提供一種用于制造包括具有穩定的電特性的薄膜晶體管的陣列基板的方法。

本發明構思的另一實施方式提供一種用于制造適于高分辨率顯示裝置的陣列基板的方法。

然而，本發明構思的實施方式不限于這里闡述的那些。通過參照以下給出的本發明構思的詳細說明，本發明構思的沒有在這里提及的其它實施方式將對于本發明構思所屬的領域內的普通技術人員變得更加明顯。

根據本發明構思的一方面，提供一種陣列基板，該陣列基板包括：第一基板；源電極，設置在第一基板上；半導體圖案層，設置在源電極上；漏電極，設置在半導體圖案層上；像素電極，設置在漏電極上；以及柵電極，設置在半導體圖案層的至少一個側表面上。

源電極、半導體圖案層和漏電極可以在堆疊方向上交疊。

柵電極可以在平行于所述第一基板的上表面的方向上交疊源電極、半導體圖案層和漏電極。

像素電極可以在堆疊方向上交疊半導體圖案層。

半導體圖案層可以包括氧化物半導體。

陣列基板還可以包括電互連源電極和漏電極的溝道，溝道可以形成在鄰近柵電極的半導體圖案層中。

柵電極的底端可以設置在源電極的上表面之下，柵電極的頂端可以設置在漏電極的下表面之上。

陣列基板還可以包括覆蓋源電極、半導體圖案層和漏電極的第一絕緣層，第一絕緣層的厚度可以比源電極的厚度薄。

柵電極還可以包括第二柵電極，第二柵電極設置在半導體圖案層的另一側。

柵電極可以包括部分空的部分和設置在空的部分外面的邊緣部分，邊緣部分可以沿漏電極的外邊緣設置。

具有用于暴露漏電極的表面的接觸孔的至少一個絕緣層可以設置在漏電極上，像素電極可以設置在漏電極的暴露表面上。

像素電極的一部分和柵電極的邊緣部分可以在堆疊方向上彼此交疊。

源電極、半導體圖案層和漏電極的一個側壁可以彼此對準。

根據本發明構思的一方面，提供一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包括：彼此交叉的數據線和柵線；順序地堆疊在第一基板上的源電極、半導體圖案層和漏電極，其中源電極從數據線分支；第一柵電極，設置在半導體圖案層的一個側表面上，柵絕緣層設置在第一柵電極和半導體圖案層之間，其中第一柵電極從柵線延伸；鈍化層，在第一柵電極上；像素電極，連接到漏電極；第二基板，面對第一基板；以及液晶層，設置在第一基板和第二基板之間。

當在堆疊方向上看時，半導體圖案層的至少一個邊緣可以被第一柵電極覆蓋。