[發(fā)明專利]陣列基板和具有該陣列基板的液晶顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611158544.6
• 申請日: 2016-12-15
• 公開（公告）號: CN107340653A
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 盧正訓(xùn);宋根圭;李弦燮
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種陣列基板，包括：

第一基板；

源電極，設(shè)置在所述第一基板上；

半導(dǎo)體圖案層，設(shè)置在所述源電極上；

漏電極，設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖案層上；

像素電極，設(shè)置在所述漏電極上；以及

柵電極，設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖案層的至少一個側(cè)表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述源電極、所述半導(dǎo)體圖案層和所述漏電極在堆疊方向上交疊。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述柵電極在平行于所述第一基板的上表面的方向上交疊所述源電極、所述半導(dǎo)體圖案層和所述漏電極。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述像素電極在堆疊方向上部分地交疊所述半導(dǎo)體圖案層。

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述半導(dǎo)體圖案層包括氧化物半導(dǎo)體。

6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括電互連所述源電極和所述漏電極的溝道，其中所述溝道形成在鄰近所述柵電極的所述半導(dǎo)體圖案層中。

7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述柵電極的底端設(shè)置在所述源電極的上表面之下，所述柵電極的頂端設(shè)置在所述漏電極的下表面之上。

8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括覆蓋所述源電極、所述半導(dǎo)體圖案層和所述漏電極的第一絕緣層，所述第一絕緣層的厚度比所述源電極的厚度薄。

9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括第二柵電極，所述第二柵電極設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖案層的另一側(cè)。

10.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述柵電極包括空的部分和設(shè)置在所述空的部分外面的邊緣部分，所述邊緣部分沿所述漏電極的外邊緣設(shè)置。

11.如權(quán)利要求10所述的陣列基板，其中具有接觸孔的一個或多個絕緣層設(shè)置在所述漏電極上，所述像素電極設(shè)置在所述漏電極的暴露表面上，其中所述接觸孔用于至少部分地暴露所述漏電極的表面。

12.如權(quán)利要求10所述的陣列基板，其中所述像素電極的一部分和所述柵電極的邊緣部分在堆疊方向上彼此交疊。

13.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述源電極、所述半導(dǎo)體圖案層和所述漏電極的一個側(cè)壁彼此對準(zhǔn)。

14.一種液晶顯示裝置，包括：

第一基板，包括源電極、設(shè)置在所述源電極上的半導(dǎo)體圖案層、設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖案層上的漏電極、設(shè)置在所述漏電極上的像素電極以及設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖案層的至少一個側(cè)表面上的柵電極；和

第二基板，面對所述第一基板。

15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，還包括在所述第二基板上的濾色器和黑矩陣，其中所述濾色器交疊所述像素電極，所述黑矩陣交疊所述源電極、所述漏電極和所述半導(dǎo)體圖案層。

16.如權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，還包括設(shè)置在所述濾色器和所述黑矩陣的整個表面上的公共電極。

17.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，還包括設(shè)置在所述像素電極上的鈍化層和設(shè)置在所述鈍化層上的公共電極。

18.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示裝置，其中所述公共電極具有狹縫圖案。

19.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其中所述濾色器設(shè)置在所述像素電極上，所述黑矩陣設(shè)置在所述源電極、所述漏電極和所述半導(dǎo)體圖案層上。

20.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其中所述柵電極在平行于所述第一基板的上表面的方向上交疊所述源電極、所述半導(dǎo)體圖案層和所述漏電極。

21.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，還包括覆蓋所述源電極、所述半導(dǎo)體圖案層和所述漏電極的第一絕緣層，所述第一絕緣層的厚度比所述源電極的厚度薄。