[發明專利]柔性基板剝離方法

有效

• 申請號: 201611151941.0
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN106711175B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 王選蕓
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

本發明提供一種柔性基板剝離方法，包括以下步驟。對單晶硅片表面進行氧化，以獲取第一氧化層。對單晶硅片進行第一次離子注入，以將離子注入單晶硅片中。利用第一氧化層，將注入離子的單晶硅片與玻璃基板進行低溫鍵合，以獲取鍵合片。對鍵合片進行退火處理，以使單晶硅片上的預設厚度的單晶硅層留在玻璃基板表面；對退火處理后的鍵合片進行第二次離子注入，以獲取原始基板。在原始基板表面完成AMOLED工藝，以獲得柔性基板。對柔性基板利用激光進行加溫，使柔性基板與玻璃基板剝離開。上述方法利用激光產生的熱量來剝離柔性基板，可有效提升產品良率。

技術領域

本發明涉及顯示器技術領域，尤其涉及一種柔性基板剝離方法。

背景技術

所謂柔性顯示，它是一種在柔性材料構成的基板表面制備器件的方法。隨著科技的不斷更新與發展，采用柔性基板制成的可彎曲的柔性器件有望成為下一代光電子器件的主流設備，如顯示器、芯片、電路、電源、傳感器等柔性器件可以實現傳統光電子器件所不能實現的功能，成本或用戶體驗的優勢。如柔性有源矩陣有機發光二極體面板(Active-matrix organic light emitting diode，簡稱AMOLED)，需要在硬質基板表面先制備或吸附柔性基板，繼而進行器件制備后再將柔性基板從硬質基板上剝離。因此，如何將柔性基板與硬質基板的有效剝離是生產柔性器件的關鍵技術之一。

目前主流的柔性AMOLED剝離方式是采用激光燒蝕的方式進行，即在聚合物柔性基板和硬質玻璃基板的界面施加高強度的激光，燒蝕界面層的聚合物，從而實現柔性和硬質基板的剝離。但是，激光的高能量，在剝離的過程中產生的大量的熱量會對柔性顯示膜造成較大的損壞，在應用過程對產品的良率造成較大的威脅。

發明內容

本發明提供一種柔性基板剝離方法，用以解決現有技術中使用激光剝離的過程中，產生的熱量造成柔性基板損壞造成良率不高的技術問題。

本發明提供一種柔性基板剝離方法，包括：

對單晶硅片表面進行氧化，以獲取第一氧化層；

對單晶硅片進行第一次離子注入，以將離子注入單晶硅片中；

利用第一氧化層，將注入離子的單晶硅片與玻璃基板進行低溫鍵合，以獲取鍵合片；

對鍵合片進行退火處理，以使單晶硅片上的預設厚度的單晶硅層留在玻璃基板表面；

對退火處理后的鍵合片進行第二次離子注入，以獲取原始基板；

在原始基板表面完成AMOLED工藝，以獲得柔性基板；

對柔性基板利用激光進行加溫，使柔性基板與玻璃基板剝離開。

進一步的，對退火處理后的鍵合片進行第二次離子注入，以獲取原始基板，具體包括：

在單晶硅層表面沉積第二氧化層；

對單晶硅層進行第二次離子注入，以獲取原始基板。

進一步的，預設厚度為500nm-2μm。

進一步的，退火處理的退火溫度為300℃-600℃。

進一步的，第一氧化層為二氧化硅層。

進一步的，第一氧化層的厚度為100nm-300nm。

進一步的，第一次離子注入的劑量范圍為5×10¹⁶/cm²-5×10¹⁸/cm²。

進一步的，第一次離子注入和第二次離子注入為氫離子注入或氦離子注入。

進一步的，在原始基板表面完成AMOLED工藝，以獲得柔性基板，具體包括：