[發(fā)明專利]柔性基板剝離方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611151941.0
• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN106711175B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設計）人: 王選蕓
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種柔性基板剝離方法，其特征在于，包括：對單晶硅片表面進行氧化，以獲取第一氧化層；對所述單晶硅片進行第一次離子注入，以將離子注入所述單晶硅片中；利用所述第一氧化層，將注入所述離子的所述單晶硅片與玻璃基板進行低溫鍵合，以獲取鍵合片；對所述鍵合片進行退火處理，以使所述單晶硅片上的預設厚度的單晶硅層留在所述玻璃基板表面；對退火處理后的所述鍵合片進行第二次離子注入，以獲取原始基板，第二次離子注入為氫離子注入或氦離子注入；在所述原始基板形成有單晶硅層的一面完成AMOLED工藝，以獲得柔性基板；對所述柔性基板利用激光進行加溫，使所述柔性基板與所述玻璃基板剝離開。

2.根據權利要求1所述的柔性基板剝離方法，其特征在于，對退火處理后的所述鍵合片進行第二次離子注入，以獲取原始基板，具體包括：在所述單晶硅層表面沉積第二氧化層；對所述單晶硅層進行第二次離子注入，以獲取原始基板。

3.根據權利要求1所述的柔性基板剝離方法，其特征在于，所述預設厚度為500nm-2μm。

4.根據權利要求1所述的柔性基板剝離方法，其特征在于，所述退火處理的退火溫度為300℃-600℃。

5.根據權利要求1所述的柔性基板剝離方法，其特征在于，所述第一氧化層為二氧化硅層。

6.根據權利要求1所述的柔性基板剝離方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚度為100nm-300nm。

7.根據權利要求1所述的柔性基板剝離方法，其特征在于，所述第一次離子注入的劑量范圍為5×10¹⁶/cm²-5×10¹⁸/cm²。

8.根據權利要求2所述的柔性基板剝離方法，其特征在于，所述第一次離子注入為氫離子注入或氦離子注入。

9.根據權利要求1-7任一所述的柔性基板剝離方法，其特征在于，在所述原始基板形成有單晶硅層的一面完成AMOLED工藝，以獲得柔性基板，具體包括：在所述原始基板形成有單晶硅層的一面上涂布磷脂酰肌醇PI，以獲取PI基板；在所述PI基板表面蒸鍍有機發(fā)光二極管OLED，以獲得所述柔性基板。

10.根據權利要求9所述的柔性基板剝離方法，其特征在于，所述PI基板的厚度為1μm-10μm。