[發(fā)明專利]一種抗單粒子燒毀的VDMOS器件及其制作方法

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• 申請日: 2016-12-14
• 公開（公告）號: CN106653856A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 藺偉聰;鄭瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司21002
• 代理人: 許宗富,周秀梅

1.一種抗單粒子燒毀的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：該方法是通過改變VDMOS器件的柵下耗盡區(qū)結(jié)構(gòu)，即在所述柵下耗盡區(qū)通過離子注入工藝摻入P型離子，從而獲得抗單粒子燒毀的VDMOS器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗單粒子燒毀的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：該方法具體包括如下步驟：

(1)在外延片上定義有源區(qū)之后，在其上依次生長柵氧化層和多晶硅層，再通過光刻和腐蝕的方法刻出柵極形狀，同時確定P阱區(qū)形狀；

(2)在P阱區(qū)采取自對準(zhǔn)離子注入工藝注入P型離子，然后通過熱推進(jìn)工藝形成P體區(qū)；

(3)在P體區(qū)通過光刻腐蝕的方法刻出NSD區(qū)域，通過離子注入摻入N型離子，進(jìn)行退火后形成N+源區(qū)；

(4)在柵氧化層上方的多晶硅層上，通過光刻和腐蝕的方法刻出所需長度的頸區(qū)，然后在該區(qū)域通過離子注入工藝摻入P型離子；

(5)在柵區(qū)淀積一層介質(zhì)層，通過光刻和腐蝕的方法在介質(zhì)層上刻出接觸孔，再在接觸孔內(nèi)淀積一層金屬層，通過光刻腐蝕刻出連線形貌。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗單粒子燒毀的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步驟(1)中，在所述有源區(qū)生長柵氧化層時，采用干氧的方法生長，生長的柵氧化層為厚度的SiO₂層；在柵氧化層上生長多晶硅層之后，刻蝕出的柵長為8μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗單粒子燒毀的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步驟(2)中，形成所述P體區(qū)時，采用離子注入的方法進(jìn)行P型摻雜，摻雜的離子類型為B⁺離子，摻雜的濃度為6E13/cm²。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗單粒子燒毀的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步驟(3)中，在形成所述NSD區(qū)域時，采用離子注入的方法進(jìn)行N型摻雜，摻雜的離子類型為As⁺離子，摻雜的濃度為1E16/cm²。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗單粒子燒毀的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：步驟(4)中，在P體區(qū)中間形成所述的頸區(qū)時，首先在多晶硅層上覆蓋光刻膠，進(jìn)行光刻曝光后取出多晶硅層上的光刻膠，然后使用干法腐蝕的方法腐蝕掉被光刻膠覆蓋區(qū)域的多晶硅，形成頸區(qū)，頸區(qū)長度為4μm；在所述頸區(qū)開口中采用離子注入的方法進(jìn)行P型摻雜，摻雜的離子類型為B⁺離子，摻雜的濃度為1E13/cm²。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗單粒子燒毀的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：所述介質(zhì)層采用的材料為SiO₂；所述金屬層采用的材料為Al，金屬層厚度為2μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗單粒子燒毀的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：所述外延片采用的摻雜濃度為7Ω*cm、厚度為23μm，屬于N型襯底、N型外延。

9.利用權(quán)利要求1-8任一所述方法制作的抗單粒子燒毀的VDMOS器件。