[發(fā)明專利]一種寬光譜太陽(yáng)能吸收半導(dǎo)體及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611151273.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106784067A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳平;張華;馬學(xué)亮;王永存 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海電機(jī)學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | H01L31/032 | 分類號(hào): | H01L31/032 |
| 代理公司: | 上海伯瑞杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司31227 | 代理人: | 余晨波 |
| 地址: | 200240 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光譜 太陽(yáng)能 吸收 半導(dǎo)體 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光電功能材料和光伏電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種寬光譜太陽(yáng)能吸收半導(dǎo)體及其制備方法。
背景技術(shù)
太陽(yáng)能是人類賴以生存的能源,如生物能、風(fēng)能、海洋能、水能等都來(lái)自太陽(yáng)能。與煤、石油、天然氣等非可再生常規(guī)能源相比,太陽(yáng)能有著資源豐富、清潔無(wú)污染、不受地域限制使用方便等優(yōu)點(diǎn)。利用太陽(yáng)能的方式很多,最吸引人關(guān)注的是基于光電轉(zhuǎn)換效應(yīng)的太陽(yáng)能電池。
把太陽(yáng)輻射能轉(zhuǎn)換成電能通常是利用半導(dǎo)體器件的光伏效應(yīng)原理進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換,因此又稱為太陽(yáng)能光伏技術(shù)。用于太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體材料是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的特殊物質(zhì)。若把這兩種半導(dǎo)體結(jié)合,交界面便形成一個(gè)P-N結(jié),這就是傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池的一個(gè)主要部分。電子吸收光子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生光生載流子并形成電流。一般希望太陽(yáng)能電池具有高的轉(zhuǎn)換效率,但對(duì)于傳統(tǒng)單帶隙半導(dǎo)體來(lái)說(shuō),缺點(diǎn):太陽(yáng)光譜中能量小于帶寬的光子無(wú)法被半導(dǎo)體吸收,造成太陽(yáng)能電池效率受到限制。根據(jù)Shockley-Queisser(S-Q)極限效率分析,單個(gè)pn結(jié)太陽(yáng)電池在全聚光條件下的最高轉(zhuǎn)換效率為40.7%。因此,高質(zhì)高效的吸收利用太陽(yáng)光譜,可進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)在傳統(tǒng)單帶半導(dǎo)體帶隙中引入半滿雜質(zhì)中間帶后,電子不僅能從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶,也能從價(jià)帶激發(fā)到中間帶的空帶以及從中間帶的滿態(tài)激發(fā)到導(dǎo)帶。在這三種激發(fā)過(guò)程能隙范圍內(nèi)的光子都能被該半導(dǎo)體材料吸收,從而更好的利用太陽(yáng)光譜并提高光伏電池的轉(zhuǎn)換效率。
到目前為止,具有寬光譜太陽(yáng)能吸收的半導(dǎo)體材料種類仍很稀少,嚴(yán)重制約了太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展。
本發(fā)明就是為了解決以上問(wèn)題而進(jìn)行的改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明需要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種具有寬光譜太陽(yáng)能吸收特征,能很好的滿足高效率雜質(zhì)帶電池對(duì)帶隙的要求,摻雜元素比例可以調(diào)節(jié),合成方法簡(jiǎn)單可控,易于宏量制備的一種寬光譜太陽(yáng)能吸收半導(dǎo)體及其制備方法。
本發(fā)明為解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
本發(fā)明所述寬光譜太陽(yáng)能吸收半導(dǎo)體的化學(xué)通式為CdIn2-xFexS4的化合物,其中0<x<2;
進(jìn)一步的,所述半導(dǎo)體的母體半導(dǎo)體為CdIn2S4三元化合物,三元化合物CdIn2S4中的部分In原子被Fe原子取代形成半導(dǎo)體CdIn2-xFexS4;
更進(jìn)一步的,半導(dǎo)體CdIn2-xFexS4中優(yōu)化的Fe摻雜濃度在0%-10%at之間;
本發(fā)明還提供一種制備CdIn2-xFexS4半導(dǎo)體材料的真空固態(tài)反應(yīng)燒結(jié)方法,其制備過(guò)程主要包括如下步驟:
步驟一:首先按照化學(xué)計(jì)量比將反應(yīng)原料真空封裝于石英玻璃管中;
步驟二:將石英玻璃管放入程序控溫馬弗爐中,緩慢升溫至第一目標(biāo)溫度,并保溫?zé)Y(jié)第一預(yù)定時(shí)間,最后樣品隨爐冷卻至室溫;
步驟三:將所得樣品在瑪瑙研缽中研磨并重新真空封裝,升溫至第二目標(biāo)溫度再次保溫?zé)Y(jié)第二預(yù)定時(shí)間,得到最終的樣品;
具體的,升溫速率為2℃/分鐘;
第一目標(biāo)溫度為700-800℃,所述第一預(yù)定時(shí)間為24-48小時(shí);
第二目標(biāo)溫度為700-800℃,所述第一預(yù)定時(shí)間為48-72小時(shí);
優(yōu)選地,抽真空采用抽真空-充氬氣-抽真空操作流程(三次),保證氧氣含量足夠低;
在一個(gè)實(shí)施例中,步驟一中的反應(yīng)原料為單質(zhì);
在一個(gè)實(shí)施例中,步驟一中的反應(yīng)原料為二元化合物;
對(duì)制備的樣品,進(jìn)行結(jié)構(gòu)物相與光學(xué)性能表征,樣品X射線衍射圖譜在Bruker D8 ADVANCE X射線衍射儀測(cè)得,采用CuKα1射線(0.15405nm),掃描電壓為40kV,掃描電流為40mA,樣品紫外-可見(jiàn)-近紅外吸收光譜由在Hitachi U4100 UV-Vis-NIR分光光度計(jì)上測(cè)得。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





