[發明專利]一種寬光譜太陽能吸收半導體及其制備方法在審
| 申請號： | 201611151273.1 | 申請日： | 2016-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN106784067A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 陳平;張華;馬學亮;王永存 | 申請（專利權）人： | 上海電機學院 |
| 主分類號： | H01L31/032 | 分類號： | H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司31227 | 代理人： | 余晨波 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光譜 太陽能 吸收 半導體 及其 制備 方法 | ||
1.一種寬光譜太陽能吸收半導體，其特征在于，所述半導體的化學分子式為CdIn2-xFexS4，式中0<x<2。
2.如權利要求1所述的一種寬光譜太陽能吸收半導體，其特征在于，所述半導體的母體半導體為CdIn2S4三元化合物，三元化合物CdIn2S4中的部分In原子被Fe原子取代形成半導體CdIn2-xFexS4。
3.如權利要求1所述的一種寬光譜太陽能吸收半導體，其特征在于，半導體CdIn2-xFexS4中優化的Fe摻雜濃度在0％-10％at之間。
4.一種制造根據權利要求1所述的寬光譜太陽能吸收半導體的制造方法，其特征在于，其制備工藝包括下列步驟：
步驟一：首先按照化學計量比將反應原料真空封裝于石英玻璃管中；
步驟二：將石英玻璃管放入程序控溫馬弗爐中，緩慢升溫至第一目標溫度，并保溫燒結第一預定時間，最后樣品隨爐冷卻至室溫；
步驟三：將所得樣品在瑪瑙研缽中研磨并重新真空封裝，升溫至第二目標溫度再次保溫燒結第二預定時間，得到最終的樣品。
5.如權利要求4所述的寬光譜太陽能吸收半導體的制造方法，其特征在于，第一目標溫度是700-800℃，第一預定時間是24-48小時。
6.如權利要求4所述的寬光譜太陽能吸收半導體的制造方法，其特征在于，第二目標溫度為700-800℃，第二預定時間為48-72小時。
7.如權利要求4所述的寬光譜太陽能吸收半導體的制造方法，其特征在于，步驟一中反應原料為單質。
8.如權利要求4所述的寬光譜太陽能吸收半導體的制造方法，其特征在于，步驟一中反應原料為二元化合物。
9.如權利要求4所述的寬光譜太陽能吸收半導體的制造方法，其特征在于，石英玻璃管抽真空采用抽真空-充氬氣-抽真空操作流程。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海電機學院，未經上海電機學院許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611151273.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種GeBi合金薄膜及其制備方法
- 下一篇：一種石墨烯/砷化鎵太陽電池
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
