[發(fā)明專利]C軸結(jié)晶IGZO薄膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611147744.1 | 申請日： | 2016-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN106756877B | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王選蕓 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/40 | 分類號： | C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265 | 代理人： | 林才桂;聞盼盼 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 制備 結(jié)晶區(qū)域 規(guī)模化 氧缺陷 原子層沉積 工藝條件 原子水平 毫米級 微米級 最優(yōu)化 良率 應(yīng)用 生產(chǎn) | ||
1.一種C軸結(jié)晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、提供一基底(10)與原子層沉積裝置(50)，將所述基底(10)送入所述原子層沉積裝置(50)中，向所述原子層沉積裝置(50)中通入氧化銦前驅(qū)體物質(zhì)，同時通入氧氣與惰性氣體的混合氣體，在所述基底(10)上形成氧化銦膜(20)；
步驟2、向所述原子層沉積裝置(50)中通入清洗氣體，驅(qū)逐出所述原子層沉積裝置(50)中多余的氧化銦前驅(qū)體物質(zhì)，從而對所述原子層沉積裝置(50)進(jìn)行清洗；
步驟3、向所述原子層沉積裝置(50)中通入氧化鎵前驅(qū)體物質(zhì)，同時通入氧氣與惰性氣體的混合氣體，在所述氧化銦膜(21)上形成氧化鎵膜(22)；
步驟4、向所述原子層沉積裝置(50)中通入清洗氣體，驅(qū)逐出所述原子層沉積裝置(50)中多余的氧化鎵前驅(qū)體物質(zhì)，從而對所述原子層沉積裝置(50)進(jìn)行清洗；
步驟5、向所述原子層沉積裝置(50)中通入氧化鋅前驅(qū)體物質(zhì)，同時通入氧氣與惰性氣體的混合氣體，在所述氧化鎵膜(22)上形成氧化鋅膜(23)；
步驟6、向所述原子層沉積裝置(50)中通入清洗氣體，驅(qū)逐出所述原子層沉積裝置(50)中多余的氧化鋅前驅(qū)體物質(zhì)，從而對所述原子層沉積裝置(50)進(jìn)行清洗；
經(jīng)過所述步驟1至步驟6，在所述基底(10)上形成一層C軸結(jié)晶IGZO膜(20)，所述C軸結(jié)晶IGZO膜(20)包括在C軸方向上依次排列的氧化銦膜(21)、氧化鎵膜(22)及氧化鋅膜(23)；
步驟7、在所述基底(10)上形成C軸結(jié)晶IGZO薄膜(30)。
2.如權(quán)利要求1所述的C軸結(jié)晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟7中重復(fù)所述步驟1至步驟6數(shù)次，所述C軸結(jié)晶IGZO薄膜(30)包括層疊設(shè)置的數(shù)層C軸結(jié)晶IGZO膜(20)，所述C軸結(jié)晶IGZO膜(20)的層數(shù)與重復(fù)所述步驟1至步驟6的次數(shù)相同。
3.如權(quán)利要求1所述的C軸結(jié)晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1中，所述氧化銦前驅(qū)體物質(zhì)包括氯化銦與水。
4.如權(quán)利要求1所述的C軸結(jié)晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟3中，所述氧化鎵前驅(qū)體物質(zhì)包括三甲基鎵與水。
5.如權(quán)利要求1所述的C軸結(jié)晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟5中，所述氧化鋅前驅(qū)體物質(zhì)包括二乙基鋅與雙氧水。
6.如權(quán)利要求1所述的C軸結(jié)晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1、步驟3及步驟5中，控制所述原子層沉積裝置(50)中的溫度為310℃-335℃，壓力為5mTorr-8mTorr，所述原子層沉積裝置(50)的工作功率為180W-200W；所述氧氣與惰性氣體的混合氣體中，氧氣的濃度為15v％-17v％。
7.如權(quán)利要求6所述的C軸結(jié)晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1、步驟3及步驟5中，控制所述原子層沉積裝置(50)中的溫度為320℃，壓力為7mTorr，所述原子層沉積裝置(50)的工作功率為190W；所述氧氣與惰性氣體的混合氣體中，氧氣的濃度為16v％。
8.如權(quán)利要求1所述的C軸結(jié)晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1、步驟3及步驟5中，所述氧氣與惰性氣體的混合氣體中，所述惰性氣體為氬氣。
9.如權(quán)利要求1所述的C軸結(jié)晶IGZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2、步驟4及步驟6中，所述清洗氣體為氮氣或者惰性氣體。
10.一種C軸結(jié)晶IGZO薄膜，其特征在于，包括層疊設(shè)置的數(shù)層C軸結(jié)晶IGZO膜(20)，所述C軸結(jié)晶IGZO膜(20)包括在C軸方向上依次排列的氧化銦膜(21)、氧化鎵膜(22)及氧化鋅膜(23)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢華星光電技術(shù)有限公司，未經(jīng)武漢華星光電技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611147744.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
