[發明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201611147363.3 | 申請日: | 2016-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN108231790B | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發明(設計)人: | 宋艷芹;胡思明;楊楠;張九占 | 申請(專利權)人: | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多晶硅區塊 顯示裝置 第一導電層 補償電容 多晶硅層 柵極絕緣層 數據線 圖形化 制造 襯底 線段 電路連接 交疊區域 掃描線 交疊 離子 摻雜 占用 | ||
本發明提供了一種顯示裝置及其制造方法,其中,所述顯示裝置的制造方法包括:提供一襯底;在所述襯底上形成一多晶硅層;圖形化所述多晶硅層以形成多個多晶硅區塊;對所述多個多晶硅區塊進行離子注入;在所述多個多晶硅區塊上形成一柵極絕緣層;在所述柵極絕緣層上形成一第一導電層;以及圖形化所述第一導電層以形成多條數據線,所述多條數據線的部分線段與所述多個多晶硅區塊的位置交疊以形成多個補償電容。在本發明實施例提供的顯示裝置及其制造方法中,利用摻雜有雜質的多晶硅層與第一導電層的交疊區域形成補償電容,以減少所述補償電容的占用面積,從而避免掃描線無法與GIP電路連接的問題。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種顯示裝置及其制造方法。
背景技術
近年來,隨著信息技術、無線移動通訊和信息家電的快速發展與應用,人們對電子產品的依賴性與日俱增,更帶來各種顯示技術及顯示裝置的蓬勃發展。顯示裝置具有完全平面化、輕、薄、省電等特點,因此得到了廣泛的應用。
為了降低顯示裝置的制造成本并藉此實現窄邊框的目的,在制造過程中通常采用GIP(Gate in Panel,門面板)技術,直接將柵極驅動電路(即GIP電路)集成于顯示屏上。顯示屏通常包括用于顯示圖像的顯示區域和圍繞顯示區域的非顯示區域,所述顯示區域中設置有多條掃描線和多條數據線,所述掃描線和數據線交叉限定出多個呈矩陣排列的像素單元,所述非顯示區域中設置有GIP電路,所述GIP電路通過掃描線與所述像素單元連接。
隨著顯示技術的發展,顯示屏的形狀也向多元化方向發展,除了傳統的矩形之外,還有多邊形、圓形等形狀。例如,手表采用圓形的顯示屏。在矩形的顯示屏中,每行像素的個數以及每列像素的個數通常是一致的。而在多邊形或圓形的顯示屏中,每行像素的個數以及每列像素的個數是不一致的。
由于每列像素個數不一致,因此數據線上的寄生電容不一致,進而造成顯示裝置出現顯示不均現象。為此,需要在顯示裝置中設置補償電容,利用所述補償電容對寄生電容進行補償,才能獲得顯示均勻的圖像。然而,現有的顯示裝置中補償電容的占用面積較大,導致掃描線無法與GIP電路連接,不利于的窄邊框實現。
基此,如何解決現有的顯示裝置由于補償電容的占用面積過大,導致掃描線無法與GIP電路連接的問題,成了本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種顯示裝置及其制造方法,以解決現有技術中顯示裝置由于補償電容的占用面積過大,導致掃描線無法與GIP電路連接的問題。
為解決上述問題,本發明提供一種顯示裝置的制造方法,所述顯示裝置的制造方法包括:
提供一襯底;
在所述襯底上形成一多晶硅層;
圖形化所述多晶硅層以形成多個多晶硅區塊;
對所述多個多晶硅區塊進行離子注入;
在所述多個多晶硅區塊上形成一柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上形成一第一導電層;以及
圖形化所述第一導電層以形成多條數據線,所述多條數據線的部分線段與所述多個多晶硅區塊的位置交疊以形成多個補償電容。
可選的,在所述的顯示裝置的制造方法中,在圖形化所述多晶硅層以形成多個多晶硅區塊的同時,還包括:圖形化所述多晶硅層以形成多個像素電容的第一極板以及多個薄膜晶體管的源極和漏極。
可選的,在所述的顯示裝置的制造方法中,在對所述多個多晶硅區塊進行離子注入的同時,還包括:對所述多個像素電容的第一極板進行離子注入。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





