[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611147363.3 | 申請日: | 2016-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN108231790B | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋艷芹;胡思明;楊楠;張九占 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多晶硅區(qū)塊 顯示裝置 第一導(dǎo)電層 補償電容 多晶硅層 柵極絕緣層 數(shù)據(jù)線 圖形化 制造 襯底 線段 電路連接 交疊區(qū)域 掃描線 交疊 離子 摻雜 占用 | ||
1.一種顯示裝置的制造方法,其特征在于,包括:
提供一襯底;
在所述襯底上形成一多晶硅層;
圖形化所述多晶硅層以形成多個多晶硅區(qū)塊,所述多晶硅區(qū)塊位于靠近非顯示區(qū)域的GIP電路的區(qū)域;
對所述多個多晶硅區(qū)塊進行離子注入;
在所述多個多晶硅區(qū)塊上形成一柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上形成一第一導(dǎo)電層;以及
圖形化所述第一導(dǎo)電層以形成多條數(shù)據(jù)線,所述多條數(shù)據(jù)線的部分線段與所述多個多晶硅區(qū)塊的位置交疊以形成多個補償電容,所述補償電容用于對所述數(shù)據(jù)線上的寄生電容進行補償,因每列像素個數(shù)不一致,導(dǎo)致不同數(shù)據(jù)線上的所述寄生電容不一致。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,在圖形化所述多晶硅層以形成多個多晶硅區(qū)塊的同時,還包括:圖形化所述多晶硅層以形成多個像素電容的第一極板以及多個薄膜晶體管的源極和漏極。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,在對所述多個多晶硅區(qū)塊進行離子注入的同時,還包括:對所述多個像素電容的第一極板進行離子注入。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,在圖形化所述第一導(dǎo)電層以形成多條數(shù)據(jù)線的同時,還包括:圖形化所述第一導(dǎo)電層以形成所述多個像素電容的第二極板以及所述多個薄膜晶體管的柵極。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,在圖形化所述第一導(dǎo)電層以形成多條數(shù)據(jù)線之后,還包括:在圖形化的第一導(dǎo)電層上形成一第二導(dǎo)電層,并圖形化所述第二導(dǎo)電層以形成多條像素連線和多條電源線。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,在圖形化的第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層之前,在圖形化所述第一導(dǎo)電層以形成多條數(shù)據(jù)線之后,還包括:在所述多個多晶硅區(qū)塊上形成多個接觸孔,所述接觸孔用于連接所述電源線和多晶硅區(qū)塊。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,根據(jù)所述數(shù)據(jù)線所連接的像素單元的數(shù)量調(diào)整所述數(shù)據(jù)線與所述多晶硅區(qū)塊的交疊面積。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,若所述數(shù)據(jù)線所連接的像素單元的數(shù)量減少,則增加所述數(shù)據(jù)線與所述多晶硅區(qū)塊的交疊面積;若所述數(shù)據(jù)線所連接的像素單元的數(shù)量增加,則減少所述數(shù)據(jù)線與所述多晶硅區(qū)塊的交疊面積。
9.一種采用如權(quán)利要求1至8中任一項所述的顯示裝置的制造方法制成的顯示裝置,其特征在于,包括:襯底;依次形成于所述襯底上的圖形化的多晶硅層、圖形化的柵極絕緣層和圖形化的第一導(dǎo)電層,所述圖形化的多晶硅層包括多個摻雜有雜質(zhì)的多晶硅區(qū)塊,所述多晶硅區(qū)塊位于靠近非顯示區(qū)域的GIP電路的區(qū)域,所述圖形化的第一導(dǎo)電層包括多條數(shù)據(jù)線,所述數(shù)據(jù)線的部分線段與所述多晶硅區(qū)塊位置交疊而形成補償電容,所述補償電容用于對所述數(shù)據(jù)線上的寄生電容進行補償,因每列像素個數(shù)不一致,導(dǎo)致不同數(shù)據(jù)線上的所述寄生電容不一致。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:多個像素單元,每個像素單元均包括薄膜晶體管和像素電容,所述薄膜晶體管的源極和漏極、所述像素電容的第一極板與所述多晶硅區(qū)塊在同一工藝中制作,所述薄膜晶體管的柵極、所述像素電容的第二極板與所述數(shù)據(jù)線在同一工藝中制作。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:多個測試電路,所述數(shù)據(jù)線的一端與所述像素單元連接,所述數(shù)據(jù)線的另一端與所述測試電路連接。
12.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:多個GIP電路、像素連線和電源線,所述像素連線與所述電源線設(shè)置為同層同材質(zhì);所述電源線與所述像素單元連接,用于向所述像素單元提供電源信號,所述像素連線用于連接所述像素單元和GIP電路。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





