[發明專利]一種方形鈀納米片及其制備方法

有效

• 申請號: 201611146620.1
• 申請日: 2016-12-13
• 公開（公告）號: CN106735298B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 張輝;姜一;顏聿聰;楊德仁
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: B22F9/24
• 分類號: B22F9/24;B22F1/00;B82Y40/00
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 朱朦琪

1.一種方形鈀納米片，其特征在于，具有面心立方的結構，外露晶面為{100}，且直接生長在氧化石墨烯表面。

2.一種根據權利要求1所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，步驟為：

將退火處理后的片狀氧化石墨烯與離子修飾劑、鈀前驅體、還原劑、分散劑與溶劑混合得到混合液，經反應后得到方形鈀納米片；

所述的退火處理的溫度為60～120℃；

所述的離子修飾劑選自Br^-。

3.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的鈀前驅體選自氯鈀酸鈉，混合液中氯鈀酸鈉的濃度為7×10^-3～0.021mol/L。

4.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的還原劑選自抗壞血酸，混合液中抗壞血酸的濃度為8.5×10^-3～0.017mol/L。

5.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的分散劑選自聚乙烯吡咯烷酮，混合液中聚乙烯吡咯烷酮的濃度為1.14×10^-4～2.27×10^-4mol/L。

6.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的溶劑為超純水，25℃下的電阻率為18MΩ*cm。

7.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的離子修飾劑為溴化鉀，混合液中溴化鉀的濃度為0.0021～0.125mol/L。

8.根據權利要求2所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述反應的溫度為60～90℃。

9.根據權利要求2～8任一權利要求所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的片狀氧化石墨烯經Hummers法制備得到。

10.根據權利要求9所述的方形鈀納米片的制備方法，其特征在于，所述的退火處理的溫度為60～100℃。