[發明專利]一種多晶硅片的制備方法

在審

• 申請號: 201611145383.7
• 申請日: 2016-12-13
• 公開（公告）號: CN106784059A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 陳德榜
• 申請（專利權）人: 溫州海旭科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及多晶硅片制備技術領域，具體為一種多晶硅片的制備方法。

背景技術

多晶硅鑄錠技術是生產太陽能晶硅材料的主流技術之一。硅片效率已成為太陽能行業競爭的最有分量的砝碼之一。多晶硅鑄錠因其投料量大，操作簡單，成本低，在很大程度上已超越了直拉法生產的單晶硅。同時相較直拉單晶，多晶硅電池片電池轉換效率低、壽命較短。通過對鑄錠爐熱場結構的改造和優化，以及多晶硅鑄錠工藝的優化，生產出低缺陷密度高品質的多晶硅片，是提升行業競爭水平的重要手段。

發明內容

本發明的目的在于提供一種多晶硅片的制備方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種多晶硅片的制備方法,包括以下步驟：

A、多晶硅絨面制備；

B、高溫擴散；

C、濕刻蝕；

D、PECVD鍍膜；

E、絲網印刷；

F、分選測試；

G、包裝入庫。

優選的，所述步驟A中多晶硅絨面制備工藝包括以下步驟：

A、將硅片放入氫氟酸與硝酸的混合液中進行腐蝕，直至表面氧化層全部清除為止；

B、將腐蝕后的硅片放入去離子水中沖洗，沖洗時間為30min；

C、之后將清洗后的硅片放入氫氧化鈉溶液中腐蝕，腐蝕后放入去離子水中沖洗30min；

D、再將硅片放入氫氟酸和鹽酸的混合液中進行腐蝕，腐蝕后放入去離子水中沖洗60min；

E、最后用氮氣將硅片吹干。

優選的，所述步驟B中高溫擴散方法包括以下步驟：

A、將需要進行高溫擴散的硅片放入擴散爐中進行緩慢升溫；

B、 升溫過程中通入氮氣、氧氣和三氯氧磷進行磷擴散，通入氮氣的流量為10-20L/min；先升溫至800℃-900℃，恒溫擴散20min；再升溫至1000℃-1100℃，恒溫擴散30min，再升溫至1300℃擴散60min；

C、將擴散爐緩慢降溫，取出硅片，完成擴散。

優選的，所述步驟C中濕刻蝕的工藝包括以下步驟：

A、將擴散后的硅片的正面朝下放置與氫氟酸溶液接觸，并從硅片的上方向其背面噴射純氮氣；且噴射的純氮氣流量為30-40L/min；

B、硅片與氫氟酸溶液反應100s-300s，取出硅片用去離子水沖洗干凈，完成刻蝕。

優選的，所述PECVD鍍膜方法包括以下步驟：

A、將完成制絨、擴散、刻蝕清洗幾道工序的硅片送入管式PECVD爐管中，在300-500℃的溫度下，先后完成抽真空、氨氣清洗、氮氣吹掃；隨后通硅烷制備內層氮化硅膜；

B、在完成內層氮化硅膜工藝后，抽真空，隨后通入硅烷和一氧化二氮制備二氧化硅膜；

C、隨后通入硅烷和氨氣制備外層氮化硅膜，即實現PECVD鍍膜。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明操作方法簡單，制備的多晶硅片位錯密度小，晶粒均勻，能夠提高太陽能電池的轉換效率；本發明采用的多晶硅絨面制備方法制得的絨面外觀清秀、無暗紋，絨面大小均勻，反射率低，而且腐蝕的重量為0.32-0.34g；采用的高溫擴散方法能夠提高磷擴散的均勻性，進一步提高了太陽能電池片的合格率；采用的濕刻蝕方法在確保硅片正面氧化層徹底去除的同時，還能很好的保護硅片的背面氧化層不受腐蝕；采用的PECVD鍍膜方法鍍膜后硅片表面無色差，碎片率低。

具體實施方式

下面對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明提供一種技術方案：一種多晶硅片的制備方法,包括以下步驟：

A、多晶硅絨面制備；

B、高溫擴散；

C、濕刻蝕；

D、PECVD鍍膜；

E、絲網印刷；

F、分選測試；

G、包裝入庫。

實施例一：

步驟A中多晶硅絨面制備工藝包括以下步驟：

A、將硅片放入氫氟酸與硝酸的混合液中進行腐蝕，直至表面氧化層全部清除為止；

B、將腐蝕后的硅片放入去離子水中沖洗，沖洗時間為30min；

C、之后將清洗后的硅片放入氫氧化鈉溶液中腐蝕，腐蝕后放入去離子水中沖洗30min；