[發明專利]一種多晶硅片的制備方法

在審

• 申請號: 201611145383.7
• 申請日: 2016-12-13
• 公開（公告）號: CN106784059A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 陳德榜
• 申請（專利權）人: 溫州海旭科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多晶硅片的制備方法,其特征在于：包括以下步驟：

A、多晶硅絨面制備；

B、高溫擴散；

C、濕刻蝕；

D、PECVD鍍膜；

E、絲網印刷；

F、分選測試；

G、包裝入庫。

2.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制備方法,其特征在于：所述步驟A中多晶硅絨面制備工藝包括以下步驟：

A、將硅片放入氫氟酸與硝酸的混合液中進行腐蝕，直至表面氧化層全部清除為止；

B、將腐蝕后的硅片放入去離子水中沖洗，沖洗時間為30min；

C、之后將清洗后的硅片放入氫氧化鈉溶液中腐蝕，腐蝕后放入去離子水中沖洗30min；

D、再將硅片放入氫氟酸和鹽酸的混合液中進行腐蝕，腐蝕后放入去離子水中沖洗60min；

E、最后用氮氣將硅片吹干。

3.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制備方法,其特征在于：所述步驟B中高溫擴散方法包括以下步驟：

A、將需要進行高溫擴散的硅片放入擴散爐中進行緩慢升溫；

B、 升溫過程中通入氮氣、氧氣和三氯氧磷進行磷擴散，通入氮氣的流量為10-20L/min；先升溫至800℃-900℃，恒溫擴散20min；再升溫至1000℃-1100℃，恒溫擴散30min，再升溫至1300℃擴散60min；

C、將擴散爐緩慢降溫，取出硅片，完成擴散。

4.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制備方法,其特征在于：所述步驟C中濕刻蝕的工藝包括以下步驟：

A、將擴散后的硅片的正面朝下放置與氫氟酸溶液接觸，并從硅片的上方向其背面噴射純氮氣；且噴射的純氮氣流量為30-40L/min；

B、硅片與氫氟酸溶液反應100s-300s，取出硅片用去離子水沖洗干凈，完成刻蝕。

5.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制備方法,其特征在于：所述PECVD鍍膜方法包括以下步驟：

A、將完成制絨、擴散、刻蝕清洗幾道工序的硅片送入管式PECVD爐管中，在300-500℃的溫度下，先后完成抽真空、氨氣清洗、氮氣吹掃；隨后通硅烷制備內層氮化硅膜；

B、在完成內層氮化硅膜工藝后，抽真空，隨后通入硅烷和一氧化二氮制備二氧化硅膜；

C、隨后通入硅烷和氨氣制備外層氮化硅膜，即實現PECVD鍍膜。