[發明專利]一種PECVD鍍膜裝置有效
| 申請號: | 201611145208.8 | 申請日: | 2016-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN106756884B | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發明(設計)人: | 陳德榜 | 申請(專利權)人: | 溫州海旭科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 325000 浙江省溫州市經*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍍膜腔 雙層石英管 進氣口 通孔 尾氣排放管 抽真空管 法蘭 連通 發明結構原理 工作效率高 進氣口連接 感應線圈 硅片鍍膜 穩流裝置 均勻性 側壁 穿設 內腔 外壁 | ||
1.一種PECVD鍍膜裝置, 包括雙層石英管(1),其特征在于:所述雙層石英管(1)端部設有法蘭(2),所述雙層石英管(1)內腔設有鍍膜腔(3),所述鍍膜腔(3)外壁上固定有感應線圈(4),所述法蘭(2)上設有第一工藝進氣口(5)和第二工藝進氣口(6),且所述第一工藝進氣口(5)、所述第二工藝進氣口(6)連接設置在鍍膜腔(3)內部的氣體穩流裝置(7),所述雙層石英管(1)一側和底部均開有通孔(8),且側壁的通孔內穿設抽真空管(9),且所述抽真空管(9)連通鍍膜腔(3),所述抽真空管(9)連接抽真空設備(10),底部的通孔內穿設有尾氣排放管(11),且所述尾氣排放管(11)連通鍍膜腔(3),所述尾氣排放管(11)連接尾氣處理裝置(12);所述氣體穩流裝置包括穩流體(13)、進氣口(14)、蜂窩片(15)、氣體調整器(16)、出氣口(17)和過濾片(18),所述穩流體(13)的一端設有進氣口(14),所述穩流體(13)的另一端設有出氣口(17),所述穩流體(13)的內部設有蜂窩片(15)、氣體調整器(16),所述蜂窩片(15)位于進氣口(14)的一端,所述蜂窩片(15)連接氣體調整器(16),所述氣體調整器(16)的出口通過過濾片(18)連接出氣口(17),所述氣體調整器(16)內包括多個氣流調節格柵(19),且所述氣流調節格柵(19)呈錐形。
2.根據權利要求1所述的一種PECVD鍍膜裝置,其特征在于:所述感應線圈(4)包括耦合式感應線圈原邊(20)和耦合式感應線圈副邊(21),所述耦合式感應線圈原邊(20)套在耦合式感應線圈副邊(21)外側,所述耦合式感應線圈原邊(20)采用柱形中空結構,所述耦合式感應線圈副邊(21)采用錐形中空結構。
3.根據權利要求1所述的一種PECVD鍍膜裝置,其特征在于:還包括第一電磁閥(22)、第二電磁閥(23)、第三電磁閥(24)和第四電磁閥(25),所述第一電磁閥(22)和第二電磁閥(23)分別安裝在第一工藝進氣口(5)和第二工藝進氣口(6)處,所述第三電磁閥(24)安裝在抽真空管(9)上,所述第四電磁閥(25)安裝在尾氣排放管(11)上。
4.實現權利要求1所述的一種PECVD鍍膜裝置的使用方法,其特征在于:其使用方法包括以下步驟:
A、將硅片放入鍍膜腔中,關閉第一電磁閥、第二電磁閥、第四電磁閥,打開第三電磁閥,對鍍膜腔進行抽真空,真空度為1.5×10-2Pa-1.8×10-2Pa后,關閉第三電磁閥,打開第一電磁閥,通入高純度氬氣,通入氬氣流量為20L/min-40L/min,通入時間為5min-10min,之后關閉第一電磁閥;
B、開啟中頻電源,使感應線圈工作,控制輸出功率 8KW-10KW,之后緩慢打開第三電磁閥,降低鍍膜腔內真空,直至達到1.1×10-2Pa;
C、關閉第三電磁閥,打開第二電磁閥,通入甲烷,通入的甲烷流量為5L/min-8L/min,通入時間為5min-10min,之后關閉第二電磁閥;
D、待鍍膜腔內真空度降至0.7×10-2Pa時,打開第四電磁閥,排出未反應的尾氣。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





