[發明專利]一種PECVD鍍膜裝置

有效

• 申請號: 201611145208.8
• 申請日: 2016-12-13
• 公開（公告）號: CN106756884B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 陳德榜
• 申請（專利權）人: 溫州海旭科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/50
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

本發明公開了一種PECVD鍍膜裝置，包括雙層石英管，雙層石英管端部設有法蘭，雙層石英管內腔設有鍍膜腔，鍍膜腔外壁上固定有感應線圈，法蘭上設有第一工藝進氣口和第二工藝進氣口，且第一工藝進氣口、第二工藝進氣口連接設置在鍍膜腔內部的氣體穩流裝置，雙層石英管一側和底部均開有通孔，且側壁的通孔內穿設抽真空管，且抽真空管連通鍍膜腔，底部的通孔內穿設有尾氣排放管，且尾氣排放管連通鍍膜腔，本發明結構原理簡單，能夠提高硅片鍍膜的均勻性，且工作效率高。

技術領域

本發明涉及鍍膜技術領域，具體為一種PECVD鍍膜裝置。

背景技術

PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積；在PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作為集成電路最后的鈍化保護層，提高集成電路的可靠性。現有的PECVD鍍膜裝置鍍膜均勻性差，鍍膜效率低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種PECVD鍍膜裝置，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種PECVD鍍膜裝置, 包括雙層石英管，所述雙層石英管端部設有法蘭，所述雙層石英管內腔設有鍍膜腔，所述鍍膜腔外壁上固定有感應線圈，所述法蘭上設有第一工藝進氣口和第二工藝進氣口，且所述第一工藝進氣口、所述第二工藝進氣口連接設置在鍍膜腔內部的氣體穩流裝置，所述雙層石英管一側和底部均開有通孔，且側壁的通孔內穿設抽真空管，且所述抽真空管連通鍍膜腔，所述抽真空管連接抽真空設備，底部的通孔內穿設有尾氣排放管，且所述尾氣排放管連通鍍膜腔，所述尾氣排放管連接尾氣處理裝置；所述氣體穩流裝置包括穩流體、進氣口、蜂窩片、氣體調整器、出氣口和過濾片，所述穩流體的一端設有進氣口，所述穩流體的另一端設有出氣口，所述穩流體的內部設有蜂窩片、氣體調整器，所述蜂窩片位于進氣口的一端，所述蜂窩片連接氣體調整器，所述氣體調整器的出口通過過濾片連接出氣口，所述氣體調整器內包括多個氣流調節格柵，且所述氣流調節格柵呈錐形。

優選的，所述感應線圈包括耦合式感應線圈原邊和耦合式感應線圈副邊，所述耦合式感應線圈原邊套在耦合式感應線圈副邊外側，所述耦合式感應線圈原邊采用柱形中空結構，所述耦合式感應線圈副邊采用錐形中空結構。

優選的，還包括第一電磁閥、第二電磁閥、第三電磁閥和第四電磁閥，所述第一電磁閥和第二電磁閥分別安裝在第一工藝進氣口和第二工藝進氣口處，所述第三電磁閥安裝在抽真空管上，所述第四電磁閥安裝在尾氣排放管上。

優選的，其使用方法包括以下步驟：

A、將硅片放入鍍膜腔中，關閉第一電磁閥、第二電磁閥、第四電磁閥，打開第三電磁閥，對鍍膜腔進行抽真空，真空度為1.5×10^-2Pa-1.8×10^-2Pa后，關閉第三電磁閥，打開第一電磁閥，通入高純度氬氣，通入氬氣流量為20L/min-40L/min，通入時間為5min-10min，之后關閉第一電磁閥；

B、開啟中頻電源，使感應線圈工作，控制輸出功率 8KW-10KW，之后緩慢打開第三電磁閥，降低鍍膜腔內真空，直至達到1.1×10^-2Pa；

C、關閉第三電磁閥，打開第二電磁閥，通入甲烷，通入的甲烷流量為5L/min-8L/min，通入時間為5min-10min，之后關閉第二電磁閥；

D、待鍍膜腔內真空度降至0.7×10^-2Pa時，打開第四電磁閥，排出未反應的尾氣。