[發(fā)明專利]一種閃存的壞塊管理方法、裝置和一種存儲裝置

有效

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• 申請日: 2016-12-12
• 公開（公告）號: CN106601303B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發(fā)明（設計）人: 黃志銘;龐榮
• 申請（專利權(quán)）人: 建榮半導體（深圳）有限公司;建榮集成電路科技（珠海）有限公司;珠海煌榮集成電路科技有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00;G06F11/07
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 彭海民

本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)存儲領域，提供一種閃存的壞塊管理方法、裝置和一種存儲系統(tǒng)，以提高整個NAND Flash的利用率。所述方法包括：從塊隊列中取出待寫塊；檢查待寫塊是否被標識了再生流程旗標；若待寫塊被標識了再生流程旗標，則判斷被標識了再生流程旗標的待寫塊是否滿足利用率要求；若被標識了再生流程旗標的待寫塊滿足利用率要求，則將滿足利用率要求的待寫塊納入寫數(shù)據(jù)流程執(zhí)行寫操作。本發(fā)明提供的技術(shù)方案一方面并不會影響閃存的讀寫效能；另一方面，可以避免NAND Flash等閃存的存儲空間的浪費，從而提高整個NAND Flash的利用率。

技術(shù)領域

本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)存儲領域，尤其涉及一種閃存的壞塊管理方法、裝置和一種存儲裝置。

背景技術(shù)

Flash memory簡稱閃存或Flash，是電子清除式可編程只讀存儲器(EEPROM)的一種，允許在操作中多次擦(Erase)或?qū)?Program)。閃存是一種特殊的、以大區(qū)塊擦寫的EEPROM，其成本和速度都遠較普通的以字節(jié)為單位寫入的EEPROM有優(yōu)勢，也因此成為非揮發(fā)性固態(tài)存儲最重要、也最廣為采納的技術(shù)。

目前Flash主要分為NOR型和NAND型兩種結(jié)構(gòu)，NAND Flash相較于NOR Flash具有擦寫速度快、存儲密度高、單位陳本低的有點。由于Flash的一個主要限制在于它的物理單元在寫操作時只能由1變成0，因此，當NAND Flash的一個單元寫過之后只能借由擦除操作(Erase)來恢復1的狀態(tài)。NAND Flash在物理上分為塊(Block)和頁(Page)兩種基本單位，NAND Flash由若干塊組成，而其中每個塊由若干頁組成。一個頁在進行寫入數(shù)據(jù)之前，必須先保證其所在的塊已經(jīng)經(jīng)過了擦除，且每次該頁需要重新寫入數(shù)據(jù)之前必須先擦除其對應的塊。

由于NAND Flash工藝越來越先進，而導致NAND Flash耐久性和可靠度變得更差，同時，由于NAND Flash原廠對閃存壞塊的定義是：若確定某個塊(Block)的某個或某些頁面有位錯誤并且超出檢錯糾錯(Error Correcting Code，ECC)的能力范圍，則該整個塊就會被定義為壞塊，然而，實際情況是該塊的其他很多頁面是好的且可以使用，因此，這種對壞塊定義的方法直接導致了一旦NAND Flash有壞頁發(fā)生，則會降低整個NAND Flash的利用率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種閃存的壞塊管理方法、裝置和一種存儲系統(tǒng)，以提高整個NAND Flash的利用率。

本發(fā)明第一方面提供一種閃存的壞塊管理方法，所述方法包括：

從塊隊列中取出待寫塊；

檢查所述待寫塊是否被標識了再生流程旗標；

若所述待寫塊被標識了再生流程旗標，則判斷所述被標識了再生流程旗標的待寫塊是否滿足利用率要求；

若所述被標識了再生流程旗標的待寫塊滿足利用率要求，則將所述滿足利用率要求的待寫塊納入寫數(shù)據(jù)流程執(zhí)行寫操作。

本發(fā)明第二方面提供一種閃存的壞塊管理裝置，所述裝置包括：

取塊模塊，用于從塊隊列中取出待寫塊；

旗標檢查模塊，用于檢查所述待寫塊是否被標識了再生流程旗標；

判斷模塊，用于若所述待寫塊被標識了再生流程旗標，則判斷所述被標識了再生流程旗標的待寫塊是否滿足利用率要求；

寫模塊，用于若所述判斷模塊的判斷結(jié)果為所述被標識了再生流程旗標的待寫塊滿足當前利用率要求，則將所述滿足利用率要求的待寫塊納入寫數(shù)據(jù)流程執(zhí)行寫操作。

本發(fā)明第三方面提供一種存儲系統(tǒng)，所述存儲系統(tǒng)包括上述閃存的壞塊管理裝置。