[發明專利]一種閃存的壞塊管理方法、裝置和一種存儲裝置

有效

• 申請號: 201611143916.8
• 申請日: 2016-12-12
• 公開（公告）號: CN106601303B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 黃志銘;龐榮
• 申請（專利權）人: 建榮半導體（深圳）有限公司;建榮集成電路科技（珠海）有限公司;珠海煌榮集成電路科技有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00;G06F11/07
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 彭海民

1.一種閃存的壞塊管理方法，其特征在于，所述方法包括：

從塊隊列中取出待寫塊；

檢查所述待寫塊是否被標識了再生流程旗標；

若所述待寫塊被標識了再生流程旗標，則將所述被標識了再生流程旗標的待寫塊執行塊擦除操作；

對所述執行了塊擦除操作的待寫塊進行寫預處理操作，以確定所述被標識了再生流程旗標的待寫塊可用空間是否滿足利用率要求；

若所述被標識了再生流程旗標的待寫塊滿足利用率要求，則將所述滿足利用率要求的待寫塊納入寫數據流程執行寫操作。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述執行了塊擦除操作的待寫塊進行寫預處理操作，以確定所述被標識了再生流程旗標的待寫塊可用空間是否滿足利用率要求，包括：

檢測所述被標識了再生流程旗標的待寫塊的每一扇區；

若檢測到所述被標識了再生流程旗標的待寫塊存在一個壞扇區，則將壞扇區計數器的值累加1，并再次檢測下一扇區；

在重復上述過程后，若所述壞扇區計數器的值大于預設閾值，則將所述被標識了再生流程旗標的待寫塊標識為壞塊，否則，確定所述被標識了再生流程旗標的待寫塊可用空間滿足利用率要求。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述從塊隊列中取出待寫塊之前，所述方法還包括：

獲取塊的狀態；

若所述塊的狀態為不佳，則將所述狀態不佳的塊標識再生流程旗標；

將所述狀態不佳且標識了再生流程旗標的塊存入所述塊隊列。

4.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，若所述被標識了再生流程旗標的待寫塊不滿足利用率要求，則所述方法還包括：

將所述被標識了再生流程旗標且不滿足利用率要求的待寫塊標記為壞塊。

5.一種閃存的壞塊管理裝置，其特征在于，所述裝置包括：

取塊模塊，用于從塊隊列中取出待寫塊；

旗標檢查模塊，用于檢查所述待寫塊是否被標識了再生流程旗標；

判斷模塊，用于若所述待寫塊被標識了再生流程旗標，則將所述被標識了再生流程旗標的待寫塊執行塊擦除操作；

預處理模塊，用于對所述執行了塊擦除操作的待寫塊進行寫預處理操作，以確定所述被標識了再生流程旗標的待寫塊可用空間是否滿足利用率要求；

寫模塊，用于若所述判斷模塊的判斷結果為所述被標識了再生流程旗標的待寫塊滿足利用率要求，則將所述滿足利用率要求的待寫塊納入寫數據流程執行寫操作。

6.如權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述預處理模塊包括：

檢測單元，用于檢測所述被標識了再生流程旗標的待寫塊的每一扇區；

累加單元，用于若所述檢測單元檢測到所述被標識了再生流程旗標的待寫塊存在一個壞扇區，則將壞扇區計數器的值累加1，并使所述檢測單元再次檢測下一扇區；

確定單元，用于所述檢測單元和累加單元重復上述過程后，若所述壞扇區計數器的值大于預設閾值，則將所述被標識了再生流程旗標的待寫塊標識為壞塊，否則，確定所述被標識了再生流程旗標的待寫塊可用空間滿足利用率要求。

7.如權利要求5或6所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

狀態獲取模塊，用于所述取塊模塊從塊隊列中取出待寫塊之前，獲取塊的狀態；

旗標標識模塊，用于若所述塊的狀態為不佳，則將所述狀態不佳的塊標識再生流程旗標；

入隊模塊，用于將所述狀態不佳且標識了再生流程旗標的塊存入所述塊隊列。

8.如權利要求5或6所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

壞塊標記模塊，用于若所述被標識了再生流程旗標的待寫塊不滿足利用率要求，則將所述被標識了再生流程旗標且不滿足利用率要求的待寫塊標記為壞塊。

9.一種存儲系統，其特征在于，所述存儲系統包括權利要求5至8任意一項所述的閃存的壞塊管理裝置。