[發明專利]產生用于光刻過程的多個光掩模的方法有效
| 申請號: | 201611143527.5 | 申請日: | 2016-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN107797377B | 公開(公告)日: | 2022-10-28 |
| 發明(設計)人: | 蔡念豫;徐金廠;李憲信;楊穩儒 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/50 | 分類號: | G03F1/50 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 產生 用于 光刻 過程 多個光掩模 方法 | ||
1.一種產生用于光刻過程的多個光掩模的方法,其包括:
產生表示具有多個導線的電路布局的電路圖形,其中所述圖形包括多個頂點和多個邊緣,其中所述多個頂點中的每一者表示所述多個導線中的對應一者,且其中所述多個邊緣中的每一者表示小于可接受最小距離的所述導線之間的間距;
識別所述電路圖形內的至少一個Kn+1圖形,其中Kn+1圖形包括選自由選自所述多個邊緣的邊緣的第一集合串聯連接的所述多個頂點的頂點的第一集合,且具有選自頂點的所述第一集合的第一頂點和第二頂點之間的至少一個非串聯邊緣連接,其中頂點的所述第一集合包括n+1個頂點,其中n為大于2的任何整數;
通過將選自所述多個頂點的所述第一集合的第三頂點合并到第四頂點中,簡化所述至少一個Kn+1圖形,其中所述第三頂點具有選自所述多個邊緣的邊緣的第二集合,且所述第四頂點具有選自所述多個邊緣的邊緣的第三集合,且其中通過從所述電路圖形移除所述第三頂點且將來自邊緣的所述第二集合的邊緣添加到邊緣的所述第三集合,將所述第三頂點合并到所述第四頂點中以產生簡化電路圖形,其中僅當邊緣的所述第三集合不包含對應邊緣時,才將來自邊緣的所述第二集合的所述邊緣添加到邊緣的所述第三集合;
對所述簡化電路圖形執行n重圖案沖突檢查;以及
基于所述n重圖案沖突檢查的結果產生所述多個光掩模。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括從所述電路圖形移除選自所述多個頂點的頂點的第二集合,其中所述頂點的第二集合中的頂點中的每一者具有小于n個邊緣連接。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括在將所述第三頂點合并到至少一個Kn圖形的第四頂點中之前,記錄所述多個頂點中的每一者和所述多個邊緣中的每一者。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在識別所述至少一個Kn+1圖形之前,所述的方法還包括:
識別所述電路圖形內的至少一個Kn圖形,所述Kn圖形包括選自由選自所述多個邊緣的所述邊緣的第二集合串聯連接的所述多個頂點的所述頂點的第二集合,且具有選自所述頂點的第二集合的第一頂點和第二頂點之間的至少一個非串聯邊緣連接,其中所述頂點的第二集合包括n個頂點;以及
將選自所述頂點的第二集合的第三頂點合并到選自所述頂點的第二集合的第四頂點中,其中所述頂點的第二集合的所述第三頂點具有選自所述邊緣的第二集合的邊緣的頂點特定集合,且通過從所述電路圖形移除所述頂點的第二集合的所述第三頂點,且將所述頂點的第二集合的所述第三頂點的邊緣的所述頂點特定集合添加到所述頂點的第二集合的所述第四頂點,將所述頂點的第二集合的所述第三頂點合并到所述頂點的第二集合的所述第四頂點中,以產生所述簡化電路圖形。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括針對包含環路或空邊緣中的至少一者的一或多個邊緣檢查所述多個邊緣。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述n重圖案沖突檢查是選自由以下各者組成的群組:蠻力n個顏色檢查、啟發式n重圖案沖突檢查和基于確定性規則的沖突檢查。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括使用方形環路簡化程序來簡化所述簡化電路圖形。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括反復地識別一或多個額外Kn+1圖形和簡化所述一或多個額外Kn+1圖形。
9.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,n等于三,且其中所述至少一個Kn+1圖形為K4圖形。
10.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,n等于二,且其中所述至少一個Kn+1圖形為K3圖形。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





