[發明專利]半導體裝置和制作半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201611142856.8
• 申請日: 2016-12-12
• 公開（公告）號: CN106952860B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 漢斯-馬丁·里特;約阿希姆·烏茨格;法蘭克·伯邁斯特;霍德弗里德·亨克里斯·約瑟夫斯·諾特曼斯;約亨·韋南茨;雷內·明茨拉夫
• 申請（專利權）人: 安世有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L23/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 麥善勇;張天舒

本公開提出一種半導體裝置和制作半導體裝置的方法。該裝置包括基板，該基板包括主表面和背面。該裝置還包括介電分隔，該介電分隔用于將基板的第一部分與基板的第二部分電隔離。介電分隔從主表面延伸穿過基板到背面。

技術領域

本說明書涉及半導體裝置和制作半導體裝置的方法。

背景技術

半導體裝置的持續微型化已產生以并無不利影響裝置的電氣性能的方式微型化裝置封裝的需求。

在分立裝置領域中，這種趨勢已產生芯片規模封裝(CSP)。這種類型的封裝一般包括具有主表面和背面的半導體管芯。該裝置的電接觸被設置在該主表面上。通過將封裝的主表面面向下放置在載體上，該封裝可以表面安裝在載體例如印刷電路上。這可允許在主表面上的接觸被焊接到在載體上的對應接觸。芯片規模封裝可以使用極少的模制化合物(封裝劑)或不使用模制化合物(封裝劑)。

芯片規模封裝(CSP)尤其是倒裝芯片封裝可以提供具有相對小的封裝大小的相對大的基板容積。在一些CSP中，幾乎100％的封裝體積是硅。

發明內容

在隨附的獨立權利要求和從屬權利要求中陳述了本公開的方面。來自從屬權利要求的特征的組合可以視情況與獨立權利要求的特征進行組合，而不僅僅是按照權利要求書中所明確陳述的那樣進行組合。

根據本公開的方面，提供半導體裝置，該半導體裝置包括：

基板，該基板包括主表面和背面；

一個或多個電接觸，該一個或多個電接觸位于主表面上；以及

介電分隔，該介電分隔用于將基板的第一部分與基板的第二部分電隔離，其中介電分隔從主表面延伸穿過基板到背面。

根據本公開的另一方面，提供制作半導體裝置的方法，該方法包括：

提供具有主表面和背面的晶片；

形成從主表面至少部分地延伸穿過晶片的溝槽；

用介電質至少部分地填充溝槽；

在主表面上形成多個電接觸；

從晶片的背面去除材料，至少直至曝露溝槽的底部；以及

切單晶片以形成多個半導體基板，其中該基板中的至少一個基板包括由介電質填充的溝槽形成的介電分隔，其中該介電分隔將基板的第一部分與基板的第二部分電隔離。

提供從主表面延伸穿過基板到背面的介電分隔可以允許位于基板的不同部分中的裝置的特征部彼此電隔離。

基板的第一部分可以包括半導體裝置的有源區域，并且基板的第二部分可以包括在主表面和背面之間延伸的基板的側壁。在該例子中，介電分隔可以將基板的側壁與有源區域電隔離。這可以防止有源區域和可以被用于安裝裝置的任何焊料之間的電短路，該焊料應當與側壁接觸。設想包括側壁的基板的一部分自身可以不包括裝置的有源區域。在一些例子中，與包括有源區域的基板的一部分的尺寸相比，包括側壁的基板的一部分可以較薄(例如，大約1-3％)，由此允許減小裝置的整體大小。

基板的第一部分可以包括半導體裝置的第一有源區域，并且基板的第二部分可以包括半導體裝置的第二有源區域。在該例子中，介電分隔可以被用于將第一有源區域和第二有源區域彼此電隔離。

介電分隔可以被成形以限定基板中的至少一個聯鎖部分。在一些例子中，半導體裝置的該(或每個)介電分隔可以包括多個此類聯鎖部分。

一個或多個聯鎖部分可以包括位于介電分隔的一側上的鎖定構件和位于該介電分隔的相對側上的開口。鎖定構件可以被收容在開口內，以抑制介電分隔電隔離的基板的部分的物理分離。開口的形狀可以與鎖定構件的形狀一致。