[發明專利]半導體裝置和制作半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201611142856.8
• 申請日: 2016-12-12
• 公開（公告）號: CN106952860B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 漢斯-馬丁·里特;約阿希姆·烏茨格;法蘭克·伯邁斯特;霍德弗里德·亨克里斯·約瑟夫斯·諾特曼斯;約亨·韋南茨;雷內·明茨拉夫
• 申請（專利權）人: 安世有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L23/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 麥善勇;張天舒

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括主表面和背面；

一個或多個電接觸，所述一個或多個電接觸位于所述主表面上；以及

介電分隔，所述介電分隔用于將所述基板的第一部分與所述基板的第二部分電隔離，其中所述介電分隔從所述主表面延伸穿過所述基板到所述背面；

其特征在于，所述介電分隔被成形以限定所述基板中的至少一個聯鎖部分，其中所述聯鎖部分包括位于所述介電分隔的一側上的鎖定構件和位于所述介電分隔的相對側上的開口，其中所述鎖定構件被收容在所述開口內，以抑制所述介電分隔電隔離的所述基板的所述部分的物理分離。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述基板的所述第一部分包括所述半導體裝置的有源區域，并且其中所述基板的所述第二部分包括在所述主表面和所述背面之間延伸的所述基板的側壁。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述基板的所述第一部分包括所述半導體裝置的第一有源區域，并且其中所述基板的所述第二部分包括所述半導體裝置的第二有源區域。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述至少一個聯鎖部分的所述鎖定構件包括頸部部分和頭部分，其中所述開口包括嘴部分，所述鎖定構件的所述頸部部分被收容在所述嘴部分內，并且其中當從所述主表面上方查看時，所述鎖定構件的所述頭部分至少與所述開口的所述嘴部分一樣寬，以防止從所述開口移除所述頭部分。

5.根據在前的任一項權利要求所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置包括至少一個另外的介電分隔，其中所述介電分隔中的至少一些介電分隔相交。

6.一種包括根據在前的任一項權利要求所述的半導體裝置的芯片規模封裝。

7.一種制作半導體裝置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有主表面和背面的晶片；

形成從所述主表面至少部分地延伸穿過所述晶片的溝槽；

用介電質至少部分地填充所述溝槽；

在所述主表面上形成多個電接觸；

從所述晶片的所述背面去除材料，至少直至曝露所述溝槽的底部；以及

切單所述晶片以形成多個半導體基板，其中所述基板中的至少一個基板包括由所述介電質填充的溝槽形成的介電分隔，其中所述介電分隔將所述基板的第一部分與所述基板的第二部分電隔離；

其特征在于，所述介電分隔被成形以限定所述基板中的至少一個聯鎖部分，其中所述聯鎖部分包括位于所述介電分隔的一側上的鎖定構件和位于所述介電分隔的相對側上的開口，其中所述鎖定構件被收容在所述開口內，以抑制所述介電分隔電隔離的所述基板的所述部分的物理分離。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述基板中的所述至少一個基板的所述第一部分包括所述半導體裝置的有源區域，并且其中所述基板的所述第二部分包括所述基板的側壁，所述基板的所述側壁在與所述晶片的所述主表面和背面對應的所述基板的主表面和背面之間延伸。