[發明專利]一種低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元有效
| 申請號: | 201611140607.5 | 申請日: | 2016-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN106711595B | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發明(設計)人: | 楊武韜;何有;王曉平;杜鳴曉;尹亮;梅雄;孫斌;高繼軍;張小蔚 | 申請(專利權)人: | 武漢濱湖電子有限責任公司;中國人民解放軍空軍駐華中地區軍事代表室 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q13/08 |
| 代理公司: | 武漢帥丞知識產權代理有限公司 42220 | 代理人: | 朱必武 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 饋電貼片 垂直極化 反射板 微帶貼片天線 水平極化 金屬線 內導體 上表面 雙極化 極化隔離度 雙極化天線 穿過 雷達天線 天線單元 粘合固定 耦合縫隙 常規的 導電膠 低剖面 十字槽 體積小 重量輕 多層 貼片 陣面 | ||
1.一種低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元,由第三層寄生貼片、第二層寄生貼片、第一層寄生貼片、輻射貼片、水平極化饋電貼片、十字槽型耦合縫隙貼片、垂直極化饋電貼片、反射板、第一SMA型連接器、第二SMA型連接器組成,第三層寄生貼片、第二層寄生貼片、第一層寄生貼片、輻射貼片、水平極化饋電貼片、十字槽型耦合縫隙貼片、垂直極化饋電貼片由上至下依次疊放排列,各層間采用半波化片熱壓縮工藝壓合連接,其特征在于:所述的垂直極化饋電貼片通過導電膠粘合固定于反射板上,第一SMA型連接器和第二SMA型連接器固定于反射板的反面,第一SMA型連接器的內導體穿過反射板、垂直極化饋電貼片、十字槽型耦合縫隙貼片、水平極化饋電貼片與水平極化饋電貼片上表面的金屬線連接,第二SMA型連接器的內導體穿過反射板、垂直極化饋電貼片與垂直極化饋電貼片上表面的金屬線連接,所述的水平極化饋電貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板,厚度0.1mm~0.5mm,長25mm~28mm,寬25mm~28mm,介電常數為2~3.6,水平極化饋電貼片主線部分線長為4mm~6mm,線寬為0.8mm~1.5mm,所述的垂直極化饋電貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板,厚度0.1mm~0.5mm,長25mm~28mm,寬25mm~28mm,介電常數為2~3.6,垂直極化饋電貼片主線部分線長為3mm~5mm,線寬為0.6mm~0.9mm,低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元應用于C波段雙極化二維相控陣雷達的天線系統。
2.根據權利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元,其特征在于:所述的第三層寄生貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板,厚度1mm~3mm,,長12mm~15mm,寬12mm~15mm,介電常數為2~3.6。
3.根據權利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元,其特征在于:所述的第二層寄生貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板,厚度1mm~3mm,長12mm~15mm,寬12mm~15mm,介電常數為2~3.6。
4.根據權利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元,其特征在于:所述的第一層寄生貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板,厚度1mm~3mm,長12mm~15mm,寬12mm~15mm,介電常數為2~3.6。
5.根據權利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元,其特征在于:所述的輻射貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板,厚度1mm~3mm,長25mm~28mm,寬25mm~28mm,介電常數為2~3.6。
6.根據權利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元,其特征在于:所述的十字槽型耦合縫隙貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板,厚度0.1mm~0.5mm,長25mm~28mm,寬25mm~28mm,介電常數為2~3.6。
7.根據權利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元,其特征在于:所述的反射板為厚度0.5mm~5mm,邊長28mm~36mm的鋁板。
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