[發(fā)明專(zhuān)利]一種芯片級(jí)封裝白光芯片及其封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611136251.8
• 申請(qǐng)日: 2016-12-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108615805B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江柳楊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 晶能光電（江西）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/52
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/52;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/50
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，所述芯片級(jí)封裝方法中包括：

S1將LED芯片依次排列在第一高溫膜表面；

S2將第二高溫膜緊密貼于LED芯片表面，所述第二高溫膜的最高耐溫低于第一高溫膜；

S3將熒光粉和硅膠均勻混合得到的熒光膠填滿LED芯片之間的縫隙并固化；

S4去除第二高溫膜，切割得到單顆四周包括熒光膠的LED芯片；去除第一高溫膜并將LED芯片翻轉(zhuǎn)至新的第一高溫膜表面；

S5將第三高溫膜緊密貼于步驟S4中LED芯片表面，所述第三高溫膜的最高耐溫低于第一高溫膜；

S6將鈦白粉、二氧化硅以及硅膠均勻混的得到的白膠填滿LED芯片之間的縫隙并固化；

S7去除第三高溫膜，并在LED芯片表面貼熒光膜片；

S8去除新的第一高溫膜，切割得到單顆芯片級(jí)封裝白光芯片。

2.如權(quán)利要求1所述的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，

在步驟S2中：將第二高溫膜緊密貼于LED芯片表面并將其置于真空裝置中，所述第二高溫膜的最高耐溫低于第一高溫膜；

在步驟S3中包括：

S31將熒光粉和硅膠均勻混合得到的熒光膠點(diǎn)在LED芯片四周；

S32打開(kāi)真空裝置，熒光膠在壓力差的作用下自動(dòng)填滿LED芯片之間的縫隙。

3.如權(quán)利要求1所述的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，

在步驟S5中：將第三高溫膜緊密貼于步驟S4中LED芯片表面并將其置于真空裝置中，所述第三高溫膜的最高耐溫低于第一高溫膜；

在步驟S6中包括：

S61將鈦白粉、二氧化硅以及硅膠均勻混的得到的白膠點(diǎn)在LED芯片四周；

S62打開(kāi)真空裝置，白膠在壓力差的作用下自動(dòng)填滿LED芯片之間的縫隙。

4.如權(quán)利要求3所述的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，在步驟S5中進(jìn)一步包括：去除第一高溫膜，將步驟S4中得到的LED芯片依次翻轉(zhuǎn)到新的第一高溫膜上。

5.如權(quán)利要求4所述的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，

在步驟S4中，加熱到第二高溫膜的最高耐溫去除第二高溫膜；

在步驟S7中，加熱到第三高溫膜的最高耐溫去除第三高溫膜；

在步驟S5和步驟S8中，加熱到第一高溫膜的最高耐溫去除第一高溫膜。

6.如權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于，

所述第二高溫膜和第三高溫膜的最高耐溫為130℃～140℃；

所述第一高溫膜的最高耐溫為180℃。