[發明專利]具有槽的金屬板上的集成扇出線圈

有效

• 申請號: 201611135645.1
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN107017236B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 王垂堂;陳韋廷;陳頡彥;蔡豪益;曾明鴻;郭鴻毅;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

本發明的實施例涉及具有槽的金屬板上的集成扇出線圈。本發明實施例揭示一種結構，其包含囊封材料和包含貫穿導體的線圈。所述貫穿導體在所述囊封材料中，其中所述貫穿導體的頂面與所述囊封材料的頂面共面，且所述貫穿導體的底面與所述囊封材料的底面共面。金屬板下伏于所述囊封材料。槽在所述金屬板中且塡充有介電材料。所述槽具有與所述線圈重疊的部分。

技術領域

本發明的實施例涉及一種半導體元件。

背景技術

隨著半導體技術的發展，半導體芯片/裸片變得越來越小。同時，更多功能需要集成到半導體裸片中。因此，半導體裸片需要使越來越大數目個I/O墊包裝到較小區域中且I/O墊的密度隨著時間迅速提高。結果，半導體裸片的封裝變得更困難，此不利地影響封裝的良率。

常規封裝技術可分成兩個類別。在第一類別中，在鋸切晶片上的裸片之前封裝裸片。此封裝技術具有一些有利特征部，例如，較大處理能力和較低成本。此外，需要較少側填料或模制化合物。此封裝技術遭受缺點。舉例來說，裸片的大小變得越來越小，且各自封裝可僅為其中各裸片的I/O墊限于直接在各自裸片的表面上方的區域的扇入型封裝。然而，在裸片面積有限的情況下，I/O墊的數目歸因于I/O墊的間距的限制而有限。如果減小墊的間距，那么焊料區域可能彼此橋接，從而導致電路故障。另外，在固定球大小要求下，焊球必須具有特定大小，此繼而限制裸片的表面上可包裝的焊球的數目。因此，已開發集成扇出(InFO)封裝。

InFO封裝不適合于制作用于某些應用(例如，無線充電)的線圈。歸因于InFO封裝的小的大小，如果在InFO封裝中制作線圈，那么線圈將小。InFO封裝中的線圈與InFO封裝外部的線圈之間的互感將低，且不可滿足透過磁共振的無線電力傳送的要求。另一方面，也不可通過增加線圈的匝數而增加互感，這是因為此將導致電阻增加，此繼而導致電力傳送的效率的大幅降低。

發明內容

本發明的實施例具有一些有利特征。通過在金屬板中形成(若干)槽，電磁場可通過金屬板，且改善InFO線圈與外部線圈之間的互感。此外，可放大互感，導致無線充電效應的改善。

根據本發明的一些實施例，一種結構包含：囊封材料；和線圈，其包含貫穿導體。貫穿導體在囊封材料中，其中貫穿導體的頂面與囊封材料的頂面大體上共面，且貫穿導體的底面與囊封材料的底面大體上共面。金屬板下伏于囊封材料。槽在金屬板中且塡充有介電材料。槽具有與線圈重疊的部分。

根據本發明的一些實施例，一種結構包含：囊封材料；裝置裸片，其囊封于囊封材料中；和貫穿導體，其囊封于囊封材料中。貫穿導體形成電耦合到裝置裸片的線圈的部分。結構進一步包含金屬板，其具有與線圈重疊的一部分，其中金屬板延伸超過線圈的邊緣。介電材料穿透通過金屬板。介電材料包含第一長形部分，所述第一長形部分具有平行于第一方向的第一縱向方向。第一長形部分包含與線圈重疊的第一部分和未與線圈重疊的第二部分。介電材料進一步包含第二長形部分，所述第二長形部分具有平行于第二方向的第二縱向方向，其中第二方向非平行于第一方向。第二長形部分接合到第一長形部分且與線圈重疊。

根據本發明的一些實施例，一種結構包含：囊封材料；裝置裸片，其囊封于囊封材料中；和貫穿導體，其囊封于囊封材料中。貫穿導體形成電耦合到裝置裸片的線圈的部分。結構進一步包含金屬板，其具有與線圈重疊的部分。金屬板延伸超過線圈的邊緣。介電區域穿透通過金屬板。介電區域包含與線圈重疊的塊體部分和連接到塊體部分的長形部分。長形部分窄于塊體部分。長形部分包含與線圈重疊的第一部分和延伸超過線圈的邊緣的第二部分。

附圖說明

當與隨附圖一起閱讀時從以下詳細描述最佳理解本揭露的方面。應注意，根據業界中的標準方法，多種特征部未按比例繪制。事實上，為了清楚論述可任意增大或減小多種特征部的尺寸。

圖1繪示根據一些實施例的集成扇出(InFO)封裝的橫截面視圖。

圖2繪示根據一些實施例的包含密封氣隙的InFO封裝的橫截面視圖。