[發明專利]具有槽的金屬板上的集成扇出線圈有效
| 申請號: | 201611135645.1 | 申請日: | 2016-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN107017236B | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 王垂堂;陳韋廷;陳頡彥;蔡豪益;曾明鴻;郭鴻毅;余振華 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/64 | 分類號: | H01L23/64 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 金屬板 集成 線圈 | ||
1.一種半導體封裝結構,其包括:
囊封材料;
線圈,其包括貫穿導體,其中所述貫穿導體在所述囊封材料中,其中所述貫穿導體的頂面與所述囊封材料的頂面大體上共面,且所述貫穿導體的底面與所述囊封材料的底面大體上共面;
金屬板,其下伏于所述囊封材料;
第一槽,其在所述金屬板中且塡充有介電材料,其中所述第一槽穿透通過所述金屬板且具有與所述線圈重疊的部分;以及
介電薄膜,其在所述金屬板的與所述囊封材料相對的側上,且密封所述第一槽。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構,其中所述介電材料為空氣。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝結構,其中所述第一槽延伸超過所述線圈的邊緣。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構,其中所述第一槽延伸到所述金屬板的邊緣。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝結構,其中所述第一槽具有大于所述線圈的各自長度的長度和小于所述線圈的各自寬度的寬度。
6.根據權利要求1所述的半導體封裝結構,其進一步包括垂直于所述第一槽且與所述第一槽相交的第二槽,其中所述第二槽不延伸超過所述線圈的邊緣。
7.根據權利要求1所述的半導體封裝結構,其中所述第一槽包括:
塊體部分,其與所述線圈完全重疊;以及
元件部分,其連接到所述塊體部分,其中所述元件部分具有小于所述線圈的各自寬度和所述塊體部分的各自寬度的寬度,且所述元件部分延伸超過所述線圈的各自邊緣。
8.一種半導體封裝結構,其包括:
囊封材料;
裝置裸片,其囊封于所述囊封材料中;
貫穿導體,其囊封于所述囊封材料中,其中所述貫穿導體形成電耦合到所述裝置裸片的線圈的部分;
金屬板,其具有與所述線圈重疊的部分,其中所述金屬板延伸超過所述線圈的邊緣;以及
介電材料,其穿透通過所述金屬板,其中所述介電材料包括:
第一長形部分,其具有平行于第一方向的第一縱向方向,其中所述第一長形部分包括:
第一部分,其與所述線圈重疊;以及
第二部分,其未與所述線圈重疊;以及
第二長形部分,其具有平行于第二方向的第二縱向方向,其中所述第二方向非平行于所述第一方向,其中所述第二長形部分接合到所述第一長形部分且與所述線圈重疊。
9.根據權利要求8所述的半導體封裝結構,其中所述第一長形部分延伸到所述金屬板的第一邊緣。
10.根據權利要求9所述的半導體封裝結構,其中所述第一長形部分進一步延伸到所述金屬板的第二邊緣,其中所述第一邊緣與所述第二邊緣是所述金屬板的相對邊緣。
11.根據權利要求8所述的半導體封裝結構,其中所述第一長形部分具有在所述第二方向上測量的寬度,且所述第一長形部分的所述寬度小于在所述第二方向上測量的所述線圈的各自尺寸。
12.根據權利要求8所述的半導體封裝結構,其中所述第二長形部分具有在所述第二方向上測量的長度,且所述第二長形部分的所述長度小于在所述第二方向上測量的所述線圈的各自尺寸。
13.根據權利要求12所述的半導體封裝結構,其中所述第二長形部分具有在所述第一方向上測量的寬度,且所述第二長形部分的所述寬度小于在所述第一方向上測量的所述線圈的各自尺寸。
14.根據權利要求8所述的半導體封裝結構,其中所述第一長形部分與所述第二長形部分的交叉區域的整體與所述線圈重疊。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611135645.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





