[發明專利]在存儲模塊中具有存儲區塊交錯操作的半導體存儲設備

有效

• 申請號: 201611131046.2
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN107015916B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 權五星;金晉賢;宋元亨;崔志顯
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02;G11C11/408
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種半導體存儲設備，包括：

第一存儲區，所述第一存儲區位于所述半導體存儲設備中；以及

第二存儲區，所述第二存儲區位于所述半導體存儲設備中，其中基于使用選擇信號，獨立于所述第一存儲區訪問所述第二存儲區，

其中所述第一存儲區和第二存儲區共享命令和地址線，并且基于所述使用選擇信號，執行存儲區塊交錯操作，

共享命令解碼器,連接到第一存儲區和第二存儲區的；

第一控制器,連接到第一存儲區；

第二控制器,連接到第二存儲區；和

數據通信(DQ)連接電路，被配置為接收所述使用選擇信號，當所述使用選擇信號指示第一存儲區和第二存儲區屬于相同區塊時，在輸出級將對應于第一存儲區和第二存儲區的輸入/輸出通路彼此分離，并且當所述使用選擇信號指示第一存儲區和第二存儲區屬于不同區塊時，在輸出級將所述輸入/輸出通路彼此集成，

其中，第一芯片選擇信號通過第一控制器從半導體存儲設備的外部傳送到第一存儲區，而不通過共享命令解碼器傳送，并且不同于第一芯片選擇信號的第二芯片選擇信號通過第二控制器從半導體存儲設備的外部傳送到第二存儲區，而不通過共享命令解碼器傳送，并且

其中所述半導體存儲設備以單芯片的型式安裝于存儲模塊上。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲設備，其中在所述存儲模塊中，所述第一存儲區屬于并且在第一存儲區塊中操作，并且在所述存儲模塊中，所述第二存儲區屬于第二存儲區塊并且在第二存儲區塊中操作。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲設備，其中所述存儲模塊是雙列直插式存儲模塊(DIMM)。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲設備，其中，所述第一存儲區和所述第二存儲區中的每個包含多個存儲體。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲設備，其中所述第一存儲區接收第一片上終接信號，并且所述第二存儲區接收與所述第一片上終接信號不同的第二片上終接信號。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲設備，其中所述第一存儲區接收第一時鐘使能信號，并且所述第二存儲區接收與所述第一時鐘使能信號不同的第二時鐘使能信號。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲設備，其中將所述第一存儲區和所述第二存儲區封裝在單晶片封裝(MDP)中。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲設備，其中在所述存儲模塊中，所述第一存儲區屬于雙存儲區塊或者四存儲區塊并且在雙存儲區塊或者四存儲區塊中操作。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲設備，其中作為模式寄存器設定信號施加所述使用選擇信號，或者利用熔斷選項或者金屬選項限定所述使用選擇信號。