[發明專利]一種中高溫厚膜電路導體漿料及其制備方法

在審

• 申請號: 201611128843.5
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN106653145A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 蘇冠賢;張念柏;徐方星
• 申請（專利權）人: 東莞珂洛赫慕電子材料科技有限公司
• 主分類號: H01B1/16
• 分類號: H01B1/16;H01B1/22;H01B13/00;H05B3/18;H05B3/12
• 代理公司: 惠州市超越知識產權代理事務所(普通合伙)44349
• 代理人: 魯慧波

1.一種中高溫厚膜電路導體漿料，其特征在于，包括有以下重量份的物料，具體為：

導電相粉末70%-80%

有機載體10%-20%

玻璃粉無機粘結相2%-8%

助劑2%-5%；

其中，導電相粉末由銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉以及銥粉組成；

有機載體由樹脂、溶劑組成；

玻璃粉無機粘結相由Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃組成。

2.根據權利要求1所述的一種中高溫厚膜電路導體漿料，其特征在于：所述導電相粉末中銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉、銥粉四種物料的重量份依次為：88%-95%、2%-8%、1%-5%、0.5%-1%。

3.根據權利要求1或者2所述的一種中高溫厚膜電路導體漿料，其特征在于：所述導電相粉末中銀粉、鈀粉、五氧化二釕粉、銥粉的平均粒徑值為0.8μm -4μm。

4.根據權利要求1所述的一種中高溫厚膜電路導體漿料，其特征在于：所述有機載體中的樹脂為聚乙烯縮丁醛、丙烯酸甲酯、聚α一甲基苯乙烯中的一種或者至少兩種所組成的混合物。

5.根據權利要求1所述的一種中高溫厚膜電路導體漿料，其特征在于：所述有機載體中的溶劑為環己酮、松油醇、己二酸二甲酯、二乙二酸乙醚醋酸酯、二乙二酸丁醚醋酸酯、異氟爾酮中的一種或者至少兩種所組成的混合物。

6.根據權利要求1所述的一種中高溫厚膜電路導體漿料，其特征在于：所述玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：50%-55%、30%-40%、1%-3% 、2%-3%、2%-5%、1%-3%、2%-4%。

7.根據權利要求1所述的一種中高溫厚膜電路導體漿料，其特征在于：所述助劑為炭黑添加劑、氣相二氧化硅、BYK019消泡劑、BYK333流平劑中的一種或者至少兩種所組成的混合物。

8.根據權利要求1所述的一種中高溫厚膜電路導體漿料，其特征在于：該導體漿料的細度為1μm -5μm，粘度為 300 dPa·s -400dPa·s，方阻為5 mΩ/□-15mΩ/□。

9.根據權利要求1所述的一種中高溫厚膜電路導體漿料，其特征在于：該導體漿料應用于鋁基板的厚膜導體電路。

10.一種中高溫厚膜電路導體漿料的制備方法，其特征在于，包括有以下工藝步驟，具體為：

a、制備玻璃粉無機粘結相：稱取Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃，并將稱取好的Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃置于混料機中進行攪拌混合；待Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃所組成的玻璃粉混合料混勻后，將玻璃粉混合料裝入石墨坩堝中，并將裝有玻璃粉混合料的石墨坩堝放入至高溫爐中，以對玻璃粉混合料進行熔煉處理，熔煉溫度為1200-1500℃，熔煉時間2-4小時；待玻璃粉混合料熔煉完成后，將溶化后的玻璃液進行淬火并形成玻璃渣，而后將玻璃渣裝入至球磨罐中進行球磨處理，球磨時間為10-15小時，以獲得粒徑值小于 5μm 的玻璃粉無機粘結相，而后對玻璃粉無機粘結相進行真空烘干處理，玻璃粉無機粘結相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七種物料的重量份依次為：50%-55%、30%-40%、1%-3% 、2%-3%、2%-5%、1%-3%、2%-4%；

b、制備有機載體：將樹脂置于溶劑中，并于40-70℃溫度下溶解完全，以獲得透明有機載體；

c、制備導體漿料：稱取導電相粉末、有機載體、玻璃粉無機粘結相、助劑，并將稱取好的導電相粉末、有機載體、玻璃粉無機粘結相、助劑置于三輥研磨機中進行研磨處理，研磨處理后獲得細度小于5μm、粘度為300-400dPa·s的導體漿料；而后將研磨處理后的導體漿料通過600-800目的網孔過濾兩次，最后通過脫泡機進行脫泡處理2-5分鐘，以完成導體漿料制備，導體漿料中導電相粉末、有機載體、玻璃粉無機粘結相、助劑四種物料的重量份依次為：70%-80%、10%-20%、2%-8%、2%-5%。