[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201611128342.7
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN107017301A
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 呂相欽;吳建志;楊哲勛;陳鴻文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

技術領域

本發明實施例涉及半導體結構及其制造方法。

背景技術

集成電路(IC)的制造已經受到形成在半導體器件中的IC的密度的增加所驅動。這通過實施更激進的設計規則以允許形成更大密度的IC器件的來完成。但是，諸如晶體管的IC器件的增加的密度還增加了處理具有減小的部件尺寸的半導體器件的復雜性。

發明內容

根據本發明的一些實施例，提供了一種半導體結構，包括：半導體襯底；介電層，存在于所述半導體襯底上；緩沖層，存在于所述半導體襯底和所述介電層之間的；至少一個凹槽，穿過所述介電層和所述緩沖層延伸至所述半導體襯底內，其中，所述緩沖層相對于蝕刻工藝具有去除速率以形成所述凹槽，并且所述緩沖層的去除速率介于所述半導體襯底的去除速率和所述介電層的去除速率之間；以及至少一個導體，存在于所述凹槽內。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種半導體結構，包括：半導體襯底，所述半導體襯底中具有至少一個凹槽；緩沖層，存在于所述半導體襯底上并且所述緩沖層中具有至少一個開口；介電層，存在于所述緩沖層上并且所述介電層中具有至少一個開口，其中，所述介電層的開口、所述緩沖層的開口和所述半導體襯底的凹槽相互連通，所述緩沖層對用于蝕刻所述凹槽的蝕刻劑的具有蝕刻阻抗，并且所述緩沖層的蝕刻阻抗介于所述半導體襯底的蝕刻阻抗和所述介電層的蝕刻阻抗之間；以及至少一個導體，至少位于所述凹槽中。

根據本發明的又一些實施例，還提供了一種制造半導體結構的方法，包括：在半導體襯底上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成介電層；在所述半導體襯底中形成穿過所述緩沖層和所述介電層的至少一個凹槽，其中，所述緩沖層相對于形成所述凹槽具有去除速率，且所述緩沖層的去除速率介于所述半導體襯底的去除速率和所述介電層的去除速率之間；以及在所述凹槽中形成至少一個導體。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，將從以下詳細說明中最好地理解本發明的方面。應當注意，根據行業的標準實踐，則各種部件并未按照比例繪制。事實上，為了簡化說明，可以任意增加或減少各種部件的尺寸。

圖1是根據本發明的一些實施例的制造半導體器件的方法的操作流程圖。

圖2A至2L是根據本發明的一些實施例的制造半導體器件的方法的截面圖。

具體實施方式

以下公開提供了多個不同的實施例或實例，用于實施所提供的主題的不同部件。以下描述組件和裝置的特定實例，以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例而不旨在限制。例如，在以下說明書中的第二部件上或上方的第一部件的形成可包含第一和第二部件直接接觸的實施例，且還可包含在第一和第二部件之間形成附加部件、使第一和第二部件不直接接觸的實施例。此外，本發明可重復在各實例中的參考數字和/或字母。這種重復是為了簡單和清楚，其本身不規定所討論的各個實施例和/或構造之間的關系。

這里所使用的術語僅僅是用于描述特定實施例，并不旨在限制本發明。正如本文使用的單數形式“一”、“一個”和“該”旨在同樣包含復數形式，除非上下文另外明確指出。還應當理解，當術語“包括”和/或“包含”，或者“含有”和/或“包住”或者“具有”和/或“有”用在本說明書中時，其指存在多個列出的部件、區域、整數、操作、元件和/或組件，但并不排除存在或附加一個或多個其他部件、區域、整數、操作、元件、組件和或/其組合。

此外，為了便于描述，本文使用例如“下方”、“下面”、“低于”、“上方”、“上面”等空間相對術語，以描述如圖所示的一個元件或部件與另一元件或部件的關系。空間相對術語用以包含除了附圖所示的定向之外在使用或操作中的器件的不同定向。裝置可被另外定向(旋轉90度或在其他定向)，且此處使用的空間相對敘詞可做相應解釋。

除非另外限定，這里使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有本發明所屬的技術領域內的普通技術人員所通常理解的相同的含義。還應當理解，此處使用的術語，比如常用詞典中定義的術語應被解釋為具有與相關技術和本發明的上下文中的意義一致的意義，并且不應理想化或過于正式地解釋，除非在此明確界定。