[發明專利]半導體結構及其制造方法在審
| 申請號： | 201611128342.7 | 申請日： | 2016-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN107017301A | 公開（公告）日： | 2017-08-04 |
| 發明（設計）人： | 呂相欽;吳建志;楊哲勛;陳鴻文 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，包括：
半導體襯底；
介電層，存在于所述半導體襯底上；
緩沖層，存在于所述半導體襯底和所述介電層之間的；
至少一個凹槽，穿過所述介電層和所述緩沖層延伸至所述半導體襯底內，其中，所述緩沖層相對于蝕刻工藝具有去除速率以形成所述凹槽，并且所述緩沖層的去除速率介于所述半導體襯底的去除速率和所述介電層的去除速率之間；以及
至少一個導體，存在于所述凹槽內。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611128342.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：電源分立的無線管理交換機
- 下一篇：基于應用層協議進行數據分析與還原的方法
- 同類專利
- 專利分類
