[發(fā)明專利]濺射靶材

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611127906.5
• 申請(qǐng)日: 2016-12-09
• 公開（公告）號(hào): CN106868459B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 玉田悠;齊藤和也;上坂修治郎;熊谷友正
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日立金屬株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發(fā)明提供一種濺射靶材，其能夠抑制在濺射靶材的機(jī)械加工時(shí)、焊接工序中的翻轉(zhuǎn)作業(yè)等處理中的裂紋的產(chǎn)生。一種濺射靶材，其為相對(duì)于金屬成分整體，含有20原子％～50原子％的Sn、50原子％～80原子％的Zn的氧化物燒結(jié)體，在每1050μm²中，具有超過2.0μm的圓當(dāng)量直徑的孔隙不足1個(gè)，優(yōu)選相對(duì)密度的平均值為98.5％以上，更優(yōu)選其的距平均值的離散度為0.3％以下。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及為了形成用于驅(qū)動(dòng)例如大型液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器等的薄膜晶體管的氧化物半導(dǎo)體層而使用的由氧化物燒結(jié)體形成的濺射靶材。

背景技術(shù)

以往，對(duì)于由薄膜晶體管(以下稱為“TFT”)驅(qū)動(dòng)的方式的液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器等顯示裝置，在TFT的溝道層采用非晶質(zhì)硅膜、結(jié)晶硅膜是主流的。而且，伴隨顯示器的高清晰化的要求，氧化物半導(dǎo)體作為TFT的溝道層中使用的材料而備受關(guān)注。例如包含In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)和O(氧)的氧化物半導(dǎo)體膜(以下稱為“I-G-Z-O薄膜”)具有優(yōu)異的TFT特性而開始實(shí)用化。該I-G-Z-O薄膜中所含的In、Ga在日本是稀有金屬儲(chǔ)備對(duì)象鋼種中所指定的稀少且昂貴的金屬。

因此，作為不包含上述I-G-Z-O薄膜中所含的In、Ga的氧化物半導(dǎo)體膜，Zn-Sn-O系氧化物半導(dǎo)體膜(以下稱為“ZTO薄膜”)正在受到關(guān)注。而且，該ZTO薄膜是通過使用了濺射靶的濺射法而成膜的。該濺射法是指，使離子、原子或團(tuán)簇與濺射靶表面發(fā)生碰撞來(lái)切削(或者濺起)該物質(zhì)的表面，從而使構(gòu)成該物質(zhì)的成分沉積在基板等的表面上而成膜的方法。

此處，ZTO薄膜由于是含有氧的薄膜，因此，可以在濺射法中使用在含有氧氣的氣氛下成膜的所謂反應(yīng)性濺射法。該反應(yīng)性濺射法是指，通過在由氬氣和氧氣構(gòu)成的混合氣體的氣氛下進(jìn)行濺射的方法，邊使離子、原子或團(tuán)簇與氧氣反應(yīng)邊進(jìn)行濺射，從而形成氧化物系薄膜的方法。

而且，對(duì)于該反應(yīng)性濺射法中使用的濺射靶，由具有與上述ZTO薄膜的成分組成接近的成分組成的ZTO系氧化物燒結(jié)體形成的濺射靶材在利用釬焊材料而焊接到墊板(backing plate)上的狀態(tài)下使用。

例如，專利文獻(xiàn)1中提出了如下方法：對(duì)于由ZTO系氧化物燒結(jié)體形成的濺射靶材，將ZnO粉末及SnO₂粉末以規(guī)定量配混后，用球磨機(jī)混合，造粒后，制造進(jìn)行預(yù)焙燒而得到的預(yù)燒粉體，對(duì)該預(yù)燒粉末進(jìn)行再次造粒、成型而制作成型體，然后進(jìn)行正式焙燒的方法。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-37161號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

根據(jù)本發(fā)明人的研究，確認(rèn)到由上述專利文獻(xiàn)1中所公開的方法制造的ZTO系氧化物燒結(jié)體形成的濺射靶材具有如下情況：在機(jī)械加工時(shí)產(chǎn)生裂紋、或焊接工序中的翻轉(zhuǎn)作業(yè)等處理時(shí)產(chǎn)生裂紋。

本發(fā)明的目的在于，解決上述問題，提供在機(jī)械加工時(shí)、焊接工序中的翻轉(zhuǎn)作業(yè)等處理時(shí)不易產(chǎn)生裂紋的濺射靶材。

用于解決問題的方案

本發(fā)明人研究了上述問題，結(jié)果查明ZTO系氧化物燒結(jié)體濺射靶中所產(chǎn)生的裂紋是由存在于濺射靶材中的孔隙導(dǎo)致的。而且發(fā)現(xiàn)通過將該孔隙在每單位面積中設(shè)為規(guī)定的尺寸以下并且將其個(gè)數(shù)設(shè)為規(guī)定的值以下，能夠解決濺射靶材的裂紋的問題，從而完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明的濺射靶材為相對(duì)于金屬成分整體，含有20原子％～50原子％的Sn、50原子％～80原子％的Zn的氧化物燒結(jié)體，在每1050μm²中，具有超過2.0μm的圓當(dāng)量直徑的孔隙不足1個(gè)。