[發(fā)明專利]EFEM中的晶圓搬運(yùn)部及裝載端口部的控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611127710.6 | 申請日: | 2016-12-09 | 
| 公開(公告)號: | CN106876310B | 公開(公告)日: | 2021-04-16 | 
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 岡部勉;堀部秀敏 | 申請(專利權(quán))人: | TDK株式會社 | 
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 | 
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦;黃浩 | 
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 | 
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | efem 中的 搬運(yùn) 裝載 端口 控制 方法 | ||
本發(fā)明提供一種EFEM中的晶圓搬運(yùn)部及裝載端口部的控制方法,其具有:將容器固定于所述裝載端口部的載置臺的工序;在關(guān)閉了主開口的狀態(tài)下,在載置于所述載置臺上的所述容器的底面上所形成的多個底孔連接所述裝載端口部的底部嘴,經(jīng)由所述底部嘴向所述容器的內(nèi)部進(jìn)行清潔化氣體的導(dǎo)入及氣體從所述容器的排出的第一清潔化工序;停止清潔化氣體從所述底部嘴的導(dǎo)入,開放所述主開口,并將所述容器和所述晶圓搬運(yùn)室氣密地連接的連接工序;從所述容器通過開放的所述主開口及所述晶圓搬運(yùn)室將所述晶圓搬運(yùn)至所述處理室,從所述處理室通過所述晶圓搬運(yùn)室及開放的所述主開口將所述晶圓搬運(yùn)至所述容器的晶圓搬運(yùn)工序。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及EFEM中的晶圓搬運(yùn)部及裝載端口部的控制方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體的制造工序中,使用被稱作前端開口片盒(FOUP)等的容器進(jìn)行各處理裝置之間的晶圓的搬運(yùn)。另外,在對晶圓實(shí)施處理時,容器內(nèi)的晶圓經(jīng)由各處理裝置所具備的EFEM(設(shè)備前端模塊、Equipment front end module)從前端開口片盒搬運(yùn)到處理室。
在此,為了保護(hù)晶圓表面不受氧化或污染影響,優(yōu)選收納晶圓的容器內(nèi)的環(huán)境保持超過規(guī)定狀態(tài)的惰性狀態(tài)及清潔度。作為提高搬運(yùn)容器內(nèi)的氣體的惰性狀態(tài)或清潔度的方法,提案有經(jīng)由形成于搬運(yùn)容器的底面的底孔向搬運(yùn)容器導(dǎo)入清潔化氣體的裝載端口裝置及包含該裝置的EFEM(參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1:(日本)特開2007-5607號公報
近年來,半導(dǎo)體電路微細(xì)化進(jìn)展的結(jié)果是,為了保護(hù)晶圓表面不受氧化或污染影響,對于收納晶圓的容器內(nèi)的環(huán)境也要求更高的清潔度。在進(jìn)行將晶圓容器的環(huán)境保持為清潔的EFEM的開發(fā)中,明確了存在從剛剛處理之后的晶圓放出的放氣污染收納于容器的處理前后的晶圓的表面的問題,其成為妨礙品質(zhì)提高的一因素。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這種狀況而完成的,提供一種將容器及晶圓搬運(yùn)室內(nèi)的環(huán)境保持為清潔,可以保護(hù)晶圓表面不受氧化或污染影響的EFEM中的晶圓搬運(yùn)部及裝載端口部的控制方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種控制方法,是EFEM中的晶圓搬運(yùn)部及裝載端口部的控制方法,EFEM具有:晶圓搬運(yùn)部,其具有向處理室搬運(yùn)的晶圓所通過的晶圓搬運(yùn)室;裝載端口部,其將形成于收納所述晶圓的容器的主開口與所述晶圓搬運(yùn)室氣密地連接,所述控制方法具有:
將所述容器固定于所述裝載端口部的載置臺的工序;
在關(guān)閉了所述主開口的狀態(tài)下,在載置于所述載置臺上的所述容器的底面上所形成的多個底孔連接所述裝載端口部的底部嘴,經(jīng)由所述底部嘴向所述容器的內(nèi)部進(jìn)行清潔化氣體的導(dǎo)入及氣體從所述容器的排出的第一清潔化工序;
停止清潔化氣體從所述底部嘴的導(dǎo)入,開放所述主開口,將所述容器和所述晶圓搬運(yùn)室氣密地連接的連接工序;
從所述容器通過開放的所述主開口及所述晶圓搬運(yùn)室將所述晶圓搬運(yùn)至所述處理室,從所述處理室通過所述晶圓搬運(yùn)室及開放的所述主開口將所述晶圓搬運(yùn)至所述容器的晶圓搬運(yùn)工序。
本發(fā)明的控制方法中,通過在將容器內(nèi)進(jìn)行清潔化的第一清潔化工序之后開放主開口而將容器與晶圓搬運(yùn)室連接,能夠防止從容器向晶圓搬運(yùn)室流入清潔度低的氣體,能夠適當(dāng)?shù)乇3志A搬運(yùn)室的清潔度。另外,在搬運(yùn)晶圓的工序中,通過從在第一清潔化工序中連接的底部嘴的至少一個排出容器內(nèi)的氣體,即使在晶圓搬運(yùn)工序中,也能夠適當(dāng)?shù)乇3秩萜骷熬A搬運(yùn)室內(nèi)的清潔度。另外,在搬運(yùn)晶圓的工序中,通過從底部嘴排出容器內(nèi)的氣體,能夠抑制從剛剛處理之后的晶圓放出的放氣流入晶圓搬運(yùn)室內(nèi)的問題。
另外,例如,也可以是,本發(fā)明的EFEM的控制方法還具有檢測所述容器內(nèi)的清潔度的檢測工序,
所述連接工序在通過所述檢測工序檢測到所述容器內(nèi)超過規(guī)定的狀態(tài)而變得清潔之后進(jìn)行。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于TDK株式會社,未經(jīng)TDK株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611127710.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 用于半導(dǎo)體材料處理系統(tǒng)的一體化機(jī)架
- 半導(dǎo)體材料處理系統(tǒng)
- 用于半導(dǎo)體材料處理系統(tǒng)的一體化機(jī)架
- 集成調(diào)度系統(tǒng)的EFEM及其調(diào)度方法
- 一種半導(dǎo)體加工設(shè)備的EFEM控制系統(tǒng)
- 對EFEM機(jī)器人進(jìn)行編程的方法及其自動教學(xué)元件
- EFEM系統(tǒng)以及EFEM系統(tǒng)中的氣體供給方法
- EFEM中環(huán)境參數(shù)的控制方法及控制系統(tǒng)
- 占用面積減小的晶片搬運(yùn)平臺
- 一種降低晶圓上形成凝結(jié)物的方法
- 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)、搬運(yùn)夾具以及搬運(yùn)臺車
- 搬運(yùn)系統(tǒng)及搬運(yùn)系統(tǒng)的搬運(yùn)方法
- 掃碼搬運(yùn)機(jī)構(gòu)及其鋰電池掃碼包設(shè)備
- 物品搬運(yùn)系統(tǒng)、搬運(yùn)裝置和物品搬運(yùn)方法
- 搬運(yùn)方法、搬運(yùn)裝置及搬運(yùn)系統(tǒng)
- 搬運(yùn)系統(tǒng)及搬運(yùn)方法
- 搬運(yùn)裝置、搬運(yùn)系統(tǒng)及貨架搬運(yùn)方法
- 汽車覆蓋件搬運(yùn)固定機(jī)構(gòu)
- 標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置
- 免疫分析儀樣本架搬運(yùn)及運(yùn)輸機(jī)構(gòu)





