[發明專利]EFEM中的晶圓搬運部及裝載端口部的控制方法有效
| 申請號: | 201611127710.6 | 申請日: | 2016-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN106876310B | 公開(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發明(設計)人: | 岡部勉;堀部秀敏 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦;黃浩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | efem 中的 搬運 裝載 端口 控制 方法 | ||
1.一種控制方法,其特征在于,
是EFEM中的晶圓搬運部及裝載端口部的控制方法,所述EFEM具有:晶圓搬運部,其具有向處理室搬運的晶圓所通過的晶圓搬運室;裝載端口部,其將形成于收納所述晶圓的容器的主開口與所述晶圓搬運室氣密地連接,
所述控制方法具有:
將所述容器固定于所述裝載端口部的載置臺的工序;
在關閉了所述主開口的狀態下,在載置于所述載置臺上的所述容器的底面上所形成的多個底孔連接所述裝載端口部的排出用底部嘴以及供給用底部嘴,并經由所述供給用底部嘴向所述容器的內部進行清潔化氣體的導入及經由所述排出用底部嘴進行氣體從所述容器的排出的第一清潔化工序;
停止進行了所述第一清潔化工序的清潔化氣體從所述供給用底部嘴的導入,從所述容器的氣體的排出在之后也經由所述排出用底部嘴繼續進行,開放所述主開口,并將所述容器和所述晶圓搬運室氣密地連接的連接工序;
經由開放的所述主開口從所述晶圓搬運室向所述容器的內部導入氣體的第二清潔化工序;以及
從所述容器通過開放的所述主開口及所述晶圓搬運室將所述晶圓搬運至所述處理室,并從所述處理室通過所述晶圓搬運室及開放的所述主開口將所述晶圓搬運至所述容器的晶圓搬運工序,
在所述第二清潔化工序中,停止連接工序中經由所述供給用底部嘴的向所述容器的內部的清潔化氣體的導入的狀態被維持,從所述晶圓搬運室向容器的內部導入的氣體經由所述排出用底部嘴排出至所述容器的外部,
在進行所述第二清潔化工序前,進行將所述供給用底部嘴設為非工作狀態同時將所述排出用底部嘴設為工作狀態的控制,
在所述第二清潔化工序中,利用將所述晶圓搬運室內的下降氣流的一部分導向所述主開口的整流板從所述晶圓搬運室向所述容器的內部導入氣體,
在所述晶圓搬運部內,從所述晶圓搬運室向所述主開口放出氣體的氣體放出手段設于所述整流板的上方,
在所述第二清潔化工序中,從所述氣體放出手段將氣體以被所述整流板誘導的方式沿所述整流板的傾斜面向斜下方放出。
2.根據權利要求1所述的控制方法,其特征在于,
還具有檢測所述容器內的清潔度的檢測工序,
所述連接工序在通過所述檢測工序檢測到所述容器內超過規定的狀態而變得清潔之后進行。
3.根據權利要求1或2所述的控制方法,其特征在于,
在所述第二清潔化工序中,經由在所述第一清潔化工序中與所述底孔連接的所述排出用底部嘴中的、與在所述容器的底面中相較于底面中央距所述主開口更遠的位置形成的底孔連通的至少一個嘴,排出所述容器內的氣體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





