[發明專利]主動開關陣列基板及其制備方法

有效

• 申請號: 201611127220.6
• 申請日: 2016-12-08
• 公開（公告）號: CN106601689B
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發明（設計）人: 卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

本發明提供一種主動開關陣列基板的制備方法，其包括：提供基板；在基板上鍍覆第一金屬層；對第一金屬層進行第一次光刻處理，形成柵極；于基板、柵極上沉積非晶硅層；在非晶硅層上鍍覆形成第二金屬層；對第二金屬層進行第二次光刻處理，以形成圖案化第二金屬層；于圖案化第二金屬層上涂覆鈍化層；對鈍化層進行第三次光刻處理，以形成通孔于鈍化層上；于鈍化層上鍍覆透光導電層，其中透光導電層穿過通孔與圖案化第二金屬層接觸；對透光導電層、鈍化層、及圖案化第二金屬層進行第四次光刻處理，于透光導電層、鈍化層、及圖案化第二金屬層上形成通道、源極及漏極，源極和漏極分別位于通道的兩側。本發明還提供由該制備方法制得的主動開關陣列基板。

技術領域

本發明涉及顯示器技術領域，尤其涉及一種主動開關陣列基板的制備方法，由所述制備方法制得的主動開關陣列基板。

背景技術

現有的主動開關陣列基板包括源極、漏極和位于所述源極和漏極之間的通道。傳統的制備主動開關陣列基板的過程中需在所述通道上形成鈍化層，再于所述鈍化層上濺鍍ITO膜。然而，所述濺鍍處理會對鈍化層造成損壞，導致損壞后的鈍化層不能有效地保護通道，導致所述濺鍍處理也會對所述通道造成損壞，使得薄膜晶體管的品質較差。

進一步地，在對ITO進行光刻處理的過程中，所述光刻處理也易對鈍化層造成損壞，導致所述光刻處理也會對所述通道造成損壞，從而使得所述薄膜晶體管的品質較差。

發明內容

鑒于上述問題，本發明提供了一種薄膜晶體管的制備方法，旨在一定程度上解決現有技術中制得的主動開關陣列基板品質差的問題。

為解決上述技術問題，本發明提出的主動開關陣列基板的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基板；

在所述基板上鍍覆第一金屬層；

對所述第一金屬層進行第一次光刻處理，以形成柵極；

于所述基板、所述柵極上沉積非晶硅層；

在所述非晶硅層上鍍覆形成第二金屬層；

對所述第二金屬層進行第二次光刻處理，以形成圖案化第二金屬層；

于所述圖案化第二金屬層上涂覆鈍化層；

對所述鈍化層進行第三次光刻處理，以形成通孔于所述鈍化層上；

于所述鈍化層上鍍覆透光導電層，其中所述透光導電層穿過所述通孔與所述圖案化第二金屬層接觸；

對所述透光導電層、所述鈍化層、及所述圖案化第二金屬層進行第四次光刻處理，于所述透光導電層、所述鈍化層、及所述圖案化第二金屬層上形成通道、源極及漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述通道的兩側。

進一步地，形成通道包括以下步驟：

于所述透光導電層上涂覆光阻膜；

提供二元掩模；采用所述二元掩模遮蔽所述光阻膜；

紫外光穿過所述二元掩膜后，照射第一部分的光阻膜；第一部分的光阻膜被去除，第二部分的光阻膜未被去除；

去除未被第二部分的光阻膜覆蓋的透光導電層、鈍化層、及圖案化第二金屬層，形成所述通道。

進一步地，所述通道的寬度為2～5微米。

進一步地，在所述基板上鍍覆第一金屬層包括：在基板表面鍍覆第一復合金屬層，所述第一金屬復合層為鉬-鋁金屬復合層、鉬-鋁合金復合層、鈦-鋁金屬復合層、或銅-鉬金屬復合層。

進一步地，在所述非晶硅層上鍍覆形成第二金屬層包括：在非晶硅層表面鍍覆第二金屬復合層，所述第二金屬復合層為鉬-鋁-鉬金屬復合層、鈦-鋁-鈦金屬復合層、或銅-鉬金屬復合層。