[發明專利]主動開關陣列基板及其制備方法

有效

• 申請號: 201611127220.6
• 申請日: 2016-12-08
• 公開（公告）號: CN106601689B
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發明（設計）人: 卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

1.一種主動開關陣列基板的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基板；

在所述基板上鍍覆第一金屬層；

對所述第一金屬層進行第一次光刻處理，以形成柵極；

于所述基板、所述柵極上沉積非晶硅層；

在所述非晶硅層上鍍覆形成第二金屬層；

對所述第二金屬層進行第二次光刻處理，以形成圖案化第二金屬層；

于所述圖案化第二金屬層上涂覆鈍化層；

對所述鈍化層進行第三次光刻處理，以形成通孔于所述鈍化層上；

于所述鈍化層上鍍覆透光導電層，其中所述透光導電層穿過所述通孔與所述圖案化第二金屬層接觸；

對所述透光導電層、所述鈍化層、及所述圖案化第二金屬層進行第四次光刻處理，于所述透光導電層、所述鈍化層、及所述圖案化第二金屬層上形成通道、源極及漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述通道的兩側。

2.如權利要求1所述的主動開關陣列基板的制備方法，其特征在于，形成通道包括以下步驟：

于所述透光導電層上涂覆光阻膜；

提供二元掩模；采用所述二元掩模遮蔽所述光阻膜；

紫外光穿過所述二元掩模 后，照射第一部分的光阻膜；第一部分的光阻膜被去除，第二部分的光阻膜未被去除；

去除未被第二部分的光阻膜覆蓋的透光導電層、鈍化層、及圖案化第二金屬層，形成所述通道。

3.如權利要求1所述的主動開關陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通道的寬度為2～5微米。

4.如權利要求1所述的主動開關陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述基板上鍍覆第一金屬層包括：在基板表面鍍覆第一復合金屬層，所述第一金屬復合層為鉬-鋁金屬復合層、鉬-鋁合金復合層、鈦-鋁金屬復合層、或銅-鉬金屬復合層。

5.如權利要求4所述的主動開關陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述非晶硅層上鍍覆形成第二金屬層包括：在非晶硅層表面鍍覆第二金屬復合層，所述第二金屬復合層為鉬-鋁-鉬金屬復合層、鈦-鋁-鈦金屬復合層、或銅-鉬金屬復合層。

6.如權利要求1所述的主動開關陣列基板的制備方法，其特征在于，所述透光導電層為半透明或透明的導電金屬層。

7.一種主動開關陣列基板，包括基板、設于所述基板的柵極和柵線、設于所述基板和所述柵極及所述柵線表面的非晶硅層，其特征在于，所述主動開關陣列基板還包括設于所述非晶硅層表面的圖案化第二金屬層、形成于所述圖案化第二金屬層及所述非晶硅層表面的鈍化層、及形成于所述鈍化層之上的像素電極，所述鈍化層開設有通孔，所述像素電極穿過所述通孔與所述圖案化第二金屬層接觸，所述圖案化第二金屬層、所述鈍化層及所述像素電極通過光刻處理共同形成有通道，所述通道將所述圖案化第二金屬層分隔為源極和漏極。

8.如權利要求7所述的主動開關陣列基板，其特征在于，所述通道的寬度為2～5微米。

9.如權利要求7所述的主動開關陣列基板，其特征在于，所述柵極和所述柵線均為第一金屬復合層，所述第一金屬復合層為鉬-鋁金屬復合層、鉬-鋁合金復合層、鈦-鋁金屬復合層、或銅-鉬金屬復合層。

10.如權利要求9所述的主動開關陣列基板，其特征在于，所述金屬層為第二金屬復合層，所述第二金屬復合層為鉬-鋁-鉬金屬復合層、鈦-鋁-鈦金屬復合層、或銅-鉬金屬復合層。