[發明專利]薄膜晶體管基底和顯示裝置

有效

• 申請號: 201611126307.1
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN106876404B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 全淵文;宋旼哲;林成洙;金羊熙
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;H01L29/10
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;韓明花

提供了一種薄膜晶體管基底和顯示裝置。薄膜晶體管基底包括基底以及在基底上面沿第一方向和第二方向布置的薄膜晶體管。每個薄膜晶體管包括柵電極、漏電極、源電極和半導體層。漏電極在柵電極上面，并且包括第一漏極傾斜部分以及從第一漏極傾斜部分的端部延伸的第二漏極傾斜部分。源電極在柵電極上面與漏電極分隔開，并且包括第一源極傾斜部分以及從第一源極傾斜部分的端部延伸的第二源極傾斜部分。半導體層與柵電極至少部分地疊置，并且包括連接到漏電極的漏區、連接到源電極的源區以及設置在漏區和源區之間的溝道區。

本申請要求于2015年12月10日提交到韓國專利知識產權局的第10-2015-0176024號韓國專利申請的權益，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術領域

一個或更多個實施例涉及一種薄膜晶體管基底和一種顯示裝置。

背景技術

顯示裝置使用多個像素顯示圖像。像素包括連接到薄膜晶體管(TFT)的像素電極以及接收共電壓的共電極。TFT響應于柵極信號而導通。導通的TFT將接收的數據電壓傳輸到像素電極。通過被施加數據電壓的像素電極與被施加共電壓的共電極形成電場。液晶層被電場驅動從而顯示圖像。

用于使從背光輸出的光被遮擋而不通過液晶顯示裝置的TFT照射到外部的遮光層在薄膜晶體管TFT上。開口率(即，照射了光以顯示圖像的區域與顯示裝置的總區域的比率)受遮光層的限制。隨著顯示裝置的分辨率的增大，開口率逐漸減小。

發明內容

另外的方面將在隨后的描述中部分地被闡述，并且將部分地通過所述描述清楚，或者可通過所提出的實施例的實踐而被獲知。

根據一個或更多個實施例，薄膜晶體管基底包括基底和多個薄膜晶體管，所述多個薄膜晶體管在基底上面沿第一方向和第二方向布置，其中，所述多個薄膜晶體管中的每個包括柵電極、漏電極、源電極和半導體層，柵電極在基底上，漏電極在柵電極上面，并且包括：第一漏極傾斜部分，在第一方向和第二方向之間的方向上延伸；和第二漏極傾斜部分，在與第一方向相反的方向和第二方向之間的方向上從第一漏極傾斜部分的端部延伸，源電極在柵電極上面與漏電極分隔開，并且包括：第一源極傾斜部分，在第一方向和第二方向之間的所述方向上延伸；和第二源極傾斜部分，在與第一方向相反的方向和第二方向之間的方向上從第一源極傾斜部分的端部延伸，半導體層與柵電極至少部分地疊置，并且包括：漏區，連接到漏電極，源區，連接到源電極，以及溝道區，位于漏區和源區之間。

在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上觀察的漏電極和源電極的平面形狀可以是左尖括號“”或右尖括號“”。

在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上觀察的漏電極的平面形狀可以與在第三方向上觀察的源電極的平面形狀對應。

源電極可以在第一方向上與漏電極分隔開。

漏電極還可以包括在第一方向和第二方向之間的方向上從第二漏極傾斜部分的端部延伸的第三漏極傾斜部分，源電極還可以包括在第一方向和第二方向之間的方向上從第二源極傾斜部分的端部延伸的第三源極傾斜部分。

在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上觀察的漏電極和源電極的平面形狀可以是z字形。

在第一漏極傾斜部分、第二漏極傾斜部分、第一源極傾斜部分和第二源極傾斜部分中的每個傾斜部分可以延伸的方向與第二方向之間的角度可以在大約30°和大約60°之間。