[發明專利]薄膜晶體管基底和顯示裝置

有效

• 申請號: 201611126307.1
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN106876404B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 全淵文;宋旼哲;林成洙;金羊熙
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;H01L29/10
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;韓明花

1.一種薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底包括：

基底；

多個薄膜晶體管，在所述基底上面沿第一方向和第二方向布置，其中，所述多個薄膜晶體管中的每個包括：柵電極，位于所述基底上；漏電極，位于所述柵電極上面，并且包括在所述第一方向和所述第二方向之間的方向上延伸的第一漏極傾斜部分以及在與所述第一方向相反的方向和所述第二方向之間的方向上從所述第一漏極傾斜部分的端部延伸的第二漏極傾斜部分；源電極，在所述柵電極上面與所述漏電極分隔開，并且包括在所述第一方向和所述第二方向之間的所述方向上延伸的第一源極傾斜部分以及在與所述第一方向相反的所述方向和所述第二方向之間的所述方向上從所述第一源極傾斜部分的端部延伸的第二源極傾斜部分；以及半導體層，與所述柵電極至少部分地疊置，并且包括連接到所述漏電極的漏區、連接到所述源電極的源區以及位于所述漏區和所述源區之間的溝道區；以及

多條數據線，在所述第二方向上延伸并且所述多條數據線中的每條數據線連接所述多個薄膜晶體管之中的布置在所述第二方向上的薄膜晶體管的所述漏電極，

其中，所述多條數據線中的每條包括多個連接部分，所述多個連接部分中的每個連接部分連接所述多個薄膜晶體管之中的在所述第二方向上相鄰的兩個薄膜晶體管的漏電極，

其中，所述連接部分中的每個包括：

第一數據傾斜部分，在與所述第一方向相反的所述方向和所述第二方向之間的方向上從所述兩個薄膜晶體管中的第一薄膜晶體管的所述第二漏極傾斜部分的端部延伸，以及

第二數據傾斜部分，在所述第一方向和所述第二方向之間的方向上從所述第一數據傾斜部分的端部延伸到所述兩個薄膜晶體管中的第二薄膜晶體管的所述第一漏極傾斜部分的端部，

其中，在所述第二漏極傾斜部分延伸的方向和所述第二方向之間的角度大于或等于在所述第一數據傾斜部分延伸的方向和所述第二方向之間的角度，

在所述第一漏極傾斜部分延伸的方向和所述第二方向之間的角度大于或等于在所述第二數據傾斜部分延伸的方向和所述第二方向之間的角度。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，在與所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上觀察的所述漏電極和所述源電極的平面形狀是左尖括號“”或右尖括號“”。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，在與所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上觀察的所述漏電極的平面形狀與在所述第三方向上觀察的所述源電極的平面形狀對應。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管基底，其中，所述源電極在所述第一方向上與所述漏電極分隔開。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中：

所述漏電極還包括在所述第一方向和所述第二方向之間的所述方向上從所述第二漏極傾斜部分的端部延伸的第三漏極傾斜部分，

所述源電極還包括在所述第一方向和所述第二方向之間的所述方向上從所述第二源極傾斜部分的端部延伸的第三源極傾斜部分。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管基底，其中，在與所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上觀察的所述漏電極和所述源電極的平面形狀是z字形。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，在所述第一漏極傾斜部分、所述第二漏極傾斜部分、所述第一源極傾斜部分和所述第二源極傾斜部分中的每個傾斜部分延伸的方向與所述第二方向之間的角度在30°和60°之間。