[發明專利]中性水基清洗劑及其制備方法和半導體封裝清洗方法

有效

• 申請號: 201611123366.3
• 申請日: 2016-12-08
• 公開（公告）號: CN106701343B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 郭艷萍;黃霖
• 申請（專利權）人: 深圳市合明科技有限公司
• 主分類號: C11D1/83
• 分類號: C11D1/83;C11D3/20;C11D3/60;H01L21/02
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 左光明

本發明公開了一種中性水基清洗劑及其制備方法和半導體封裝清洗方法。本發明中性水基清洗劑由以下質量百分含量的成分組成：非離子表面活性劑0.5?2％、陰離子表面活性劑0.5?2％、醇醚類溶劑15?30％、水溶性有機弱酸0.05?0.2％、去離子水余量。本發明中性水基清洗劑清洗能力特別是對半導體器件上焊接后殘留有優異的清洗能力，對其他污染物有也良好的去污能力，在此基礎上其對敏感金屬和特殊功能脆弱材料有良好的兼容性和保護作用，而且還具有環保，無閃點、安全等優點。其制備方法工藝條件易控，制備的中性水基清洗劑性能穩定。半導體封裝清洗方法清洗效果好。

技術領域

本發明涉及工業清洗劑技術領域，具體涉及一種中性水基清洗劑及其制備方法和半導體封裝清洗方法。

背景技術

半導體作為現代電子工業發展的基礎及支撐，在電子工業的應用和所選用的材料也越來越廣泛。但隨著半導體產品的集成化、高精密、高可靠性的要求不斷提高，對半導體封裝清洗業的關注度和清洗的可靠性也越來越高。半導體器件封裝過程中通常會使用助焊劑和錫膏等作為焊接輔料，這些輔料在焊接過程或多或少都會有部分殘留物，還包括制程中沾污的指印、汗液、角質和塵埃等污染物。殘留物和污染物成分復雜且在空氣氧化和濕氣作用下特別在高溫高濕的環境下對器件的損傷大、危害大且持續時長。為了確保半導體器件的品質和高可靠性，必須在封裝工藝引入清洗工序和使用清洗劑。

目前半導體器件封裝業的清洗劑主要是采用偏堿性水基清洗劑包括中強堿性水基清洗劑和弱堿性水基清洗劑。半導體封裝焊接輔料殘留物主要是松香和有機酸，松香和有機酸都含有羧基能在中強堿性條件下發生皂化反應生成易溶于水的有機鹽，因此中強堿性清洗劑對半導體器件的殘留物有良好的清洗效果。但隨著半導體的發展和特殊功能的需求，一些器件上組裝了鋁、銅、鉑、鎳等敏感金屬和油墨字符、電磁碳膜和特殊標簽等相當脆弱的功能材料。這些敏感金屬和特殊功能材料在中強堿性環境下，容易被氧化變色或溶脹變形或脫落等，因此限制了中強堿性水清洗劑在半導體封裝清洗業的使用。弱堿性水基清洗劑可能對部分敏感金屬和特殊功能材料有部分兼容性，但因其清洗力不能完全達到半導體封裝的清洗需要，無法滿足實際工業應用，因此弱堿性水基清洗劑也沒有得到很好的應用和推廣。

發明內容

本發明實施例的目的在于克服現有技術的上述不足，提供一種中性水基清洗劑及其制備方法，以克服現有水性清洗劑存在的對半導體器件材料兼容性差，封裝清洗力不足的技術問題。

本發明實施例的另一目的是提供一種半導體封裝清洗方法，以克服現有半導體封裝清洗方法存在的材料兼容性差，清洗效果不佳的技術問題。

為了實現上述發明目的，本發明的一方面，提供了一種中性水基清洗劑。所述中性水基清洗劑由以下質量百分含量的成分組成：

本發明的另一方面，提供了一種清洗劑的制備方法。所述制備方法包括如下步驟：

按照本發明中性水基清洗劑所含的成分和含量比例分別量取各成分原料；

除去離子水之外，將稱取的其余所述成分原料進行混料處理，后與去離子水進行再次混料處理。

本發明的又一方面，提供了一種半導體封裝清洗方法。所述半導體封裝清洗方法包括采用本發明中性水基清洗劑或本發明制備方法制備的中性水基清洗劑對半導體封裝進行清洗的步驟。

與現有技術相比，本發明中性水基清洗劑清洗能力特別是對半導體器件上焊接后殘留有優異的清洗能力，對其他污染物有也良好的去污能力，在此基礎上其對敏感金屬和特殊功能脆弱材料有良好的兼容性和保護作用。另外，采用水作為主要介質，使得本發明中性水基清洗劑還具有環保，無閃點、安全等優點。