[發明專利]中性水基清洗劑及其制備方法和半導體封裝清洗方法

有效

• 申請號: 201611123366.3
• 申請日: 2016-12-08
• 公開（公告）號: CN106701343B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 郭艷萍;黃霖
• 申請（專利權）人: 深圳市合明科技有限公司
• 主分類號: C11D1/83
• 分類號: C11D1/83;C11D3/20;C11D3/60;H01L21/02
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 左光明

1.一種中性水基清洗劑，其特征在于：其由以下質量百分含量的成分組成：

其中，所述非離子表面活性劑選用椰油酰二乙醇胺和聚氧乙烯烷醇酰胺的混合物，以所述中性水基清洗劑質量百分比計，所述非離子表面活性劑的添加量選自0.5％椰油酰二乙醇胺和1.5％聚氧乙烯烷醇酰胺、0.6％椰油酰二乙醇胺和1.0％聚氧乙烯烷醇酰胺、0.4％椰油酰二乙醇胺和0.6％聚氧乙烯烷醇酰胺、0.2％椰油酰二乙醇胺和0.3％聚氧乙烯烷醇酰胺的任意一組混合物；所述椰油酰二乙醇胺為椰油和二乙醇胺按照摩爾比為1:1或1:2反應獲得的椰油酰二乙醇胺，所述聚氧乙烯烷醇酰胺選用如下結構式的聚氧乙烯烷醇酰胺：

當R基為C₁₂H₂₅，n＝4，當R基為C₁₀H₂₁，n＝6；

所述陰離子表面活性劑選用脂肪酸甲酯磺酸鹽；

所述醇醚類溶劑選用丙二醇醚類溶劑；

所述水溶性有機弱酸為檸檬酸、馬來酸、乳酸、冰醋酸中的至少一種；

所述水溶性有機弱酸的酸值和所述中性水基清洗劑組分中的胺值之比為1:1。

2.如權利要求1所述的中性水基清洗劑，其特征在于：所述丙二醇醚類為丙二醇甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二丙二醇丁醚、二丙二醇二甲醚中至少一種。

3.一種中性清洗劑的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

按照權利要求1-2任一所述的中性水基清洗劑所含的成分和含量比例分別量取各成分原料；

除去離子水之外，將稱取的其余所述成分原料進行混料處理，后與去離子水進行再次混料處理。

4.一種半導體封裝清洗方法，包括采用權利要求1-2任一所述的中性水基清洗劑或權利要求3所述的制備方法制備的中性水基清洗劑對半導體封裝進行清洗的步驟。