[發(fā)明專利]橫向雙擴散晶體管及其漂移區(qū)的制造方法

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• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN106653855A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設計）人: 韓廣濤;陸陽;周遜偉
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子(杭州)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種橫向雙擴散晶體管漂移區(qū)的制造方法，包括以下步驟：

在襯底表面依次至少淀積第一介質層和第二介質層，形成掩膜層；

通過涂覆膠層曝光打開漂移區(qū)的中間位置，利用膠層作為阻擋，對第二介質層進行各向異性刻蝕，并進行第一次漂移區(qū)的注入，形成第一摻雜區(qū)；

利用涂覆在最后介質層上的膠層作為阻擋，對第二介質層進行各向同性刻蝕；

去除膠層，利用第二介質層進行阻擋，再進行第二次漂移區(qū)的注入，形成第二摻雜區(qū)；

其中，所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的類型相同，二者共同組成線性梯度摻雜的漂移區(qū)。

2.根據(jù)權利要求1所述的橫向雙擴散晶體管漂移區(qū)的制造方法，其特征在于：所述的第一介質層為氧化層，所述第二介質層為氮化硅層。

3.根據(jù)權利要求2所述的橫向雙擴散晶體管漂移區(qū)的制造方法，其特征在于：所述的第一介質層的厚度為50～1000埃，所述的第二介質層的厚度為50～3000埃。

4.一種橫向雙擴散晶體管漂移區(qū)的制造方法，包括以下步驟：

在襯底表面依次至少淀積第一介質層、第二介質層和第三介質層，形成掩膜層；

通過涂覆膠層曝光打開漂移區(qū)的中間位置，利用膠層作為阻擋，對第二介質層和第三介質層進行各向異性刻蝕，并進行第一次漂移區(qū)的注入，形成第一摻雜區(qū)；

去掉膠層，并進行第一次退火；利用第三介質層的阻擋，對第二介質層進行各向同性刻蝕；

去除第三介質層，利用第二介質層進行阻擋，再進行第二次漂移區(qū)的注入，形成第二摻雜區(qū)；

其中，所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的類型相同，二者共同組成線性梯度摻雜的漂移區(qū)。

5.根據(jù)權利要求4所述的橫向雙擴散晶體管漂移區(qū)的制造方法，其特征在于：所述的第一介質層為氧化層，所述第二介質層為氮化硅層，所述的第三介質層也為氧化層。

6.根據(jù)權利要求5所述的橫向雙擴散晶體管漂移區(qū)的制造方法，其特征在于：所述的第一介質層的厚度為50～1000埃，所述的第二介質層的厚度為50～3000埃，所述的第三介質層的厚度為50～3000埃。

7.一種橫向雙擴散晶體管漂移區(qū)的制造方法，包括以下步驟：

在襯底表面依次至少淀積第一介質層和第二介質層，形成掩膜層；

通過涂覆膠層曝光打開漂移區(qū)的中間位置，利用膠層作為阻擋，對第二介質層進行各向異性刻蝕，并進行第一次漂移區(qū)的注入，形成第一摻雜區(qū)；

利用涂覆在最后介質層上的膠層作為阻擋，對第二介質層進行各向同性刻蝕；

去除膠層，利用第二介質層進行阻擋，再進行第二次漂移區(qū)的注入，形成第二摻雜區(qū)；

其中，所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的類型相反，第一摻雜區(qū)與襯底層的摻雜類型相同。

8.根據(jù)權利要求7所述的橫向雙擴散晶體管漂移區(qū)的制造方法，其特征在于：所述橫向雙擴散晶體管的漏端引出處設置有與第二摻雜類型相同的阱，并將第一摻雜區(qū)切斷為左右兩部分，以實現(xiàn)對第二摻雜區(qū)的引出；第一摻雜區(qū)和襯底對第二摻雜區(qū)的共同耗盡作用，使第二摻雜區(qū)濃度更高，以獲得高關斷擊穿電壓和低導通阻抗。

9.一種橫向雙擴散晶體管漂移區(qū)的制造方法，其特征在于：

在襯底表面依次至少淀積第一介質層、第二介質層和第三介質層，形成掩膜層；

通過涂覆膠層曝光打開漂移區(qū)的中間位置，利用膠層作為阻擋，對第二介質層和第三介質層進行各向異性刻蝕，并進行第一次漂移區(qū)的注入，形成第一摻雜區(qū)；

去掉膠層，并進行第一次退火；利用第三介質層的阻擋，對第二介質層進行各向同性刻蝕；

去除第三介質層，利用第二介質層進行阻擋，再進行第二次漂移區(qū)的注入，形成第二摻雜區(qū)；

其中，所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的類型相反，第一摻雜區(qū)與襯底摻雜類型相同。

10.根據(jù)權利要求9所述的橫向雙擴散晶體管漂移區(qū)的制造方法，其特征在于：所述橫向雙擴散晶體管的漏端引出處設置有與第二摻雜類型相同的阱，并將第一摻雜區(qū)切斷為左右兩部分，以實現(xiàn)對第二摻雜區(qū)的引出；第一摻雜區(qū)和襯底對第二摻雜區(qū)的共同耗盡作用，使第二摻雜區(qū)濃度更高，以獲得高關斷擊穿電壓和低導通阻抗。

11.一種橫向雙擴散晶體管，其特征在于：其漂移區(qū)由以上權利要求1-10的任意一種制造方法制造而成。