[發(fā)明專利]一種開方后硅塊的檢測方法

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• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN106853443A
• 公開（公告）日: 2017-06-16
• 發(fā)明（設計）人: 俞豪威;梁庭衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽愛森能源有限公司
• 主分類號: B07B13/04
• 分類號: B07B13/04;B07C5/344
• 代理公司: 六安眾信知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙)34123
• 代理人: 熊偉

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及到硅材料技術(shù)領域，特別是指對硅料的提純檢測方面的應用，尤其涉及到一種開方后硅塊的檢測方法。

背景技術(shù)

隨著我國經(jīng)濟的發(fā)展，能源的利用和發(fā)展進入到了新的革新時代，太陽能發(fā)電成為新的能源技術(shù)，太陽能發(fā)電包括光熱發(fā)電和光伏發(fā)電，但是這種新型的太陽能發(fā)電需要的關(guān)鍵是太陽能電池，利用太陽能電池進行能量的轉(zhuǎn)換和儲存，這就需要大量的硅電池板，同時電池板中硅的純度要求一般較高，在使用和投入生產(chǎn)時硅塊的質(zhì)量不能得到絕對的把關(guān)，導致加工中出現(xiàn)硅塊的硅含量不純和表面達不到相應的要求，以致出現(xiàn)加工后的硅塊出現(xiàn)質(zhì)量問題，提高硅板加工損壞率，提高生產(chǎn)加工的成本。

因此，提供一種開方后硅塊的檢測方法，以期能夠通過對開方后的硅塊的檢測方法進行改進，對硅塊的表面進行檢測，將不合格的硅塊進行篩除，提高硅塊的合格率，降低硅板加工損壞率，降低生產(chǎn)加工的成本，就成為本領域技術(shù)人員亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種開方后硅塊的檢測方法，以期能夠通過對開方后的硅塊的檢測方法進行改進，對硅塊的表面進行檢測，將不合格的硅塊進行篩除，提高硅塊的合格率，降低硅板加工損壞率，降低生產(chǎn)加工的成本。

為解決背景技術(shù)中所述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種開方后硅塊的檢測方法，該硅塊的檢測方法包括以下步驟：

(1)硅塊材料初步篩選，將開方后的小方錠的篩選的邊寬尺寸為155—157.5mm，將不合尺寸的硅塊篩除，以備后續(xù)檢測。

(2)然后對硅塊的表面進行少子壽命測試，且硅塊的表面平整度<0.5mm，測試時，使用WT2000系列測試儀測試非坩堝面，先設置掃描寬度2mm，、尋找9個測試點，然后在硅塊的頂部和底部以少子壽命為0.5μs畫線，然后記錄測試小方錠的少子壽命的平均值。

(3)硅塊材料精篩，通過對小錠的均值進行范圍篩選，將不合格的硅塊小錠進行去除，其中小錠電阻率ρ>0.4ohm.cm，少子壽命局部τ≥0.5μs。

優(yōu)選地，所述的步驟3中的硅塊材料精篩中對于整個大錠低電阻的電阻率均值ρ<0.2ohm.cm，通過電阻率對硅塊的純度進行檢測，能夠通過電阻率的值進行直接篩選，降低篩選的難度，提高篩選精度。

優(yōu)選地，所述的步驟3中的硅塊材料精篩中對于整個大錠少子壽命的少子壽命均值τ≥0.2μs，且單點少子壽命值τ＜0.5μs，通對整個大錠少子壽命的均值限定，以實現(xiàn)對硅料的檢測。

優(yōu)選地，所述的步驟2中對于硅塊的表面進行掃描時的掃描速度設為5s/次，且掃描采集3次，能夠通過多次掃描，提高掃描精度，以提高檢測的準確程度。

本發(fā)明的有益效果是：

1)、對硅塊的表面進行檢測，將不合格的硅塊進行篩除，提高硅塊的合格率。

2)、降低硅板加工損壞率，降低生產(chǎn)加工的成本。

具體實施方式

為了使本領域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對本發(fā)明作進一步的詳細介紹。

一種開方后硅塊的檢測方法，該硅塊的檢測方法包括以下步驟：

(1)硅塊材料初步篩選，將開方后的小方錠的篩選的邊寬尺寸為155—157.5mm，將不合尺寸的硅塊篩除，以備后續(xù)檢測。

(2)然后對硅塊的表面進行少子壽命測試，且硅塊的表面平整度<0.5mm，測試時，使用WT2000系列測試儀測試非坩堝面，先設置掃描寬度2mm，、尋找9個測試點，然后在硅塊的頂部和底部以少子壽命為0.5μs畫線，然后記錄測試小方錠的少子壽命的平均值。

(3)硅塊材料精篩，通過對小錠的均值進行范圍篩選，將不合格的硅塊小錠進行去除，其中小錠電阻率ρ>0.4ohm.cm，少子壽命局部τ≥0.5μs。

進一步的，所述的步驟3中的硅塊材料精篩中對于整個大錠低電阻的電阻率均值ρ<0.2ohm.cm，通過電阻率對硅塊的純度進行檢測，能夠通過電阻率的值進行直接篩選，降低篩選的難度，提高篩選精度。

進一步的，所述的步驟3中的硅塊材料精篩中對于整個大錠少子壽命的少子壽命均值τ≥0.2μs，且單點少子壽命值τ＜0.5μs，通對整個大錠少子壽命的均值限定，以實現(xiàn)對硅料的檢測。

進一步的，所述的步驟2中對于硅塊的表面進行掃描時的掃描速度設為5s/次，且掃描采集3次，能夠通過多次掃描，提高掃描精度，以提高檢測的準確程度。

以上只通過說明的方式描述了本發(fā)明的某些示范性實施例，毋庸置疑，對于本領域的普通技術(shù)人員，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以用各種不同的方式對所描述的實施例進行修正。因此，上述描述在本質(zhì)上是說明性的，不應理解為對本發(fā)明權(quán)利要求保護范圍的限制。