[發明專利]一種開方后硅塊的檢測方法在審
| 申請號： | 201611115947.2 | 申請日： | 2016-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN106853443A | 公開（公告）日： | 2017-06-16 |
| 發明（設計）人： | 俞豪威;梁庭衛 | 申請（專利權）人： | 安徽愛森能源有限公司 |
| 主分類號： | B07B13/04 | 分類號： | B07B13/04;B07C5/344 |
| 代理公司： | 六安眾信知識產權代理事務所(普通合伙)34123 | 代理人： | 熊偉 |
| 地址： | 237200 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 開方 后硅塊 檢測 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種開方后硅塊的檢測方法，其特征在于：該硅塊的檢測方法包括以下步驟：
(1)硅塊材料初步篩選，將開方后的小方錠的篩選的邊寬尺寸為155—157.5mm，將不合尺寸的硅塊篩除，以備后續檢測。
(2)然后對硅塊的表面進行少子壽命測試，且硅塊的表面平整度<0.5mm，測試時，使用WT2000系列測試儀測試非坩堝面，先設置掃描寬度2mm，、尋找9個測試點，然后在硅塊的頂部和底部以少子壽命為0.5μs畫線，然后記錄測試小方錠的少子壽命的平均值。
(3)硅塊材料精篩，通過對小錠的均值進行范圍篩選，將不合格的硅塊小錠進行去除，其中小錠電阻率ρ>0.4ohm.cm，少子壽命局部τ≥0.5μs。
2.根據權利要求1所述的一種開方后硅塊的檢測方法，其特征在于，所述的步驟3中的硅塊材料精篩中對于整個大錠低電阻的電阻率均值ρ<0.2ohm.cm。
3.根據權利要求1所述的一種開方后硅塊的檢測方法，其特征在于，所述的步驟3中的硅塊材料精篩中對于整個大錠少子壽命的少子壽命均值τ≥0.2μs，且單點少子壽命值τ＜0.5μs。
4.根據權利要求1所述的一種開方后硅塊的檢測方法，其特征在于，所述的步驟2中對于硅塊的表面進行掃描時的掃描速度設為5s/次，且掃描采集3次。
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