[發明專利]一種摻雜型InSb薄膜、其制備方法及InSb磁敏器件有效
| 申請號： | 201611115868.1 | 申請日： | 2016-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN106784304B | 公開（公告）日： | 2019-07-19 |
| 發明（設計）人： | 俞振中;馬可軍;鄭律 | 申請（專利權）人： | 浙江森尼克半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/10 | 分類號： | H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 孫仿衛;李萍 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州市蕭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 insb 薄膜 制備 方法 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種摻雜型InSb薄膜的制備方法，其特征在于：采用In源、Sb源、In-Te合金源三個蒸發源，熱蒸發制得所述摻雜型InSb薄膜；其中，所述In-Te合金中Te的含量為1×1019~1×1021/cm3，所述In源的溫度為850~950℃，所述Sb源的溫度為500~600攝氏度，所述In-Te合金源的溫度為550~650攝氏度，通過測厚儀控制In源、Sb源以及In-Te合金源的蒸發速率。
2.根據權利要求1所述的摻雜型InSb薄膜的制備方法，其特征在于：制得的所述InSb薄膜中Te的摻雜濃度大于或等于1×1017/cm3。
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