[發(fā)明專利]一種摻雜型InSb薄膜、其制備方法及InSb磁敏器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611115868.1
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN106784304B
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設計）人: 俞振中;馬可軍;鄭律
• 申請（專利權）人: 浙江森尼克半導體有限公司
• 主分類號: H01L43/10
• 分類號: H01L43/10;H01L43/12
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛(wèi);李萍

本發(fā)明公開了一種摻雜型InSb薄膜、其制備方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的溫度效應，性能穩(wěn)定。一種摻雜型InSb薄膜，InSb薄膜內摻雜有Te，所述Te的摻雜濃度大于或等于1×10¹⁷/cm³。一種摻雜型InSb薄膜的制備方法，采用In源、Sb源、In?Te合金源三個蒸發(fā)源，熱蒸發(fā)制得所述摻雜型InSb薄膜，所述In?Te合金中Te的含量為1×10¹⁹~1×10²¹/cm³。

技術領域

本發(fā)明屬于半導體薄膜領域，特別涉及一種摻雜型InSb薄膜、其制備方法及具有該摻雜型InSb薄膜的InSb磁敏元件。

背景技術

由InSb薄膜制備的InSb磁敏器件具有成本低、高效、靈敏度高的優(yōu)點，目前已被廣泛使用。現(xiàn)有技術中，InSb薄膜中In原子和Sb原子的個數(shù)比為1:1，雜質含量較少，在-40~+80℃的工作溫度區(qū)間內，由于InSb材料的本征載流子濃度隨溫度變化指數(shù)式增加，這會導致InSb磁敏器件的性能產生明顯的溫度效應，磁敏器件的阻值隨工作溫度變化，性能不穩(wěn)定。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的是提供一種摻雜型InSb薄膜、其制備方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的溫度效應，性能穩(wěn)定。

本發(fā)明采用的一種技術方案為：

一種摻雜型InSb薄膜， InSb薄膜內摻雜有Te。

優(yōu)選地，所述Te的摻雜濃度大于或等于1×10¹⁷/cm³。

優(yōu)選地，所述Te的摻雜源為In-Te合金。

更優(yōu)選地，所述In-Te合金中Te的含量為1×10¹⁹~1×10²¹/cm³。

優(yōu)選地，所述InSb薄膜的摻雜雜質由Te組成。

本發(fā)明采用的另一技術方案為：

一種摻雜型InSb薄膜的制備方法，采用In源、Sb源、In-Te合金源三個蒸發(fā)源，熱蒸發(fā)制得所述摻雜型InSb薄膜。

優(yōu)選地，所述In-Te合金中Te的含量為1×10¹⁹~1×10²¹/cm³。

優(yōu)選地，所述In源的溫度為850~950℃，所述Sb源的溫度為500~600攝氏度，所述In-Te合金源的溫度為550~650攝氏度。

優(yōu)選地，制得的所述InSb薄膜中Te的摻雜濃度大于或等于1×10¹⁷/cm³。

本發(fā)明采用的又一技術方案為：

一種具有所述的摻雜型InSb薄膜的InSb磁敏器件。

本發(fā)明采用以上方案，相比現(xiàn)有技術具有如下優(yōu)點：

在InSb薄膜中摻雜雜質Te，Te在InSb中呈明顯的施主效應，Te原子將釋放出與其替代的Sb原子同等數(shù)量的電子，在-40~+80℃的工作溫度區(qū)間內，摻雜Te原子的InSb薄膜的載流子濃度將不隨溫度變化，從而改善磁敏器件的溫度效應，使其性能較為穩(wěn)定。

附圖說明

附圖1為本發(fā)明的摻雜型InSb薄膜制備的蒸發(fā)示意圖。

上述附圖中，

1、In源；2、Sb源；3、In-Te合金源；4、InSb薄膜。

具體實施方式