[發明專利]一種顯示鑄態高氮奧氏體不銹鋼晶界的腐蝕方法

有效

• 申請號: 201611115495.8
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN107340170B
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 李花兵;朱紅春;姜周華;馮浩;祝君輝;王蓬勃;羅毅;丁偉;薛坤喜;柴曉星
• 申請（專利權）人: 東北大學
• 主分類號: G01N1/32
• 分類號: G01N1/32
• 代理公司: 21109 沈陽東大知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉曉嵐

1.一種顯示鑄態高氮奧氏體不銹鋼晶界的腐蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，腐蝕劑配制

按固液比，CuCl₂∶無水乙醇∶鹽酸＝(5～10)g∶(90～110)mL∶(90～110)mL，將CuCl₂、無水乙醇和鹽酸均勻混合，靜置5～15min，得到一級腐蝕劑；其中，鹽酸為質量百分濃度為36～38％的濃鹽酸；

按固液比，草酸∶去離子水＝(7～12)g∶(80～100)mL，將草酸和去離子水均勻混合，靜置10～15min，得到二級腐蝕劑；

步驟2，一次電解腐蝕

以導電金屬材料作為陰極，拋光后的高氮奧氏體不銹鋼試樣檢測面作為陽極，采用直流穩定電源，在5～10V電壓下進行電解，電解過程中陽極和陰極浸沒在一級腐蝕劑中，并搖動陽極，持續4～10s后，將高氮奧氏體不銹鋼試樣進行沖洗并吹干，得到一次電解后的高氮奧氏體不銹鋼試樣；

其中，高氮奧氏體不銹鋼，含有的組分及質量百分比為：C：≤0.15％，Si：≤1.0％，Mn：12.0～18.0％，Cr：16.0～20.0％，Mo：2.5～4.5％，N：0.7～1.2％，Fe：余量；

步驟3，二次電解腐蝕

將一次電解后的高氮奧氏體不銹鋼試樣檢測面作為陽極，導電金屬材料作為陰極，采用直流穩定電源，在5～10V電壓下進行電解，電解過程中陽極和陰極浸沒在二級腐蝕劑中，電解40～70s后取出；將二次電解后的高氮奧氏體不銹鋼試樣進行沖洗并吹干，得到腐蝕的高氮奧氏體不銹鋼試樣檢測面，該檢測面即可在金相顯微鏡下進行晶界觀察。

2.如權利要求1所述的顯示鑄態高氮奧氏體不銹鋼晶界的腐蝕方法，其特征在于，所述的步驟2中，所述的導電金屬材料為銅線、銀線、鐵線或鋼線中的一種。

3.如權利要求1所述的顯示鑄態高氮奧氏體不銹鋼晶界的腐蝕方法，其特征在于，所述的步驟2中，所述的沖洗為依次用水和無水乙醇對高氮奧氏體不銹鋼試樣進行沖洗。

4.如權利要求1所述的顯示鑄態高氮奧氏體不銹鋼晶界的腐蝕方法，其特征在于，所述的步驟3中，所述的導電金屬材料為銅線、銀線、鐵線或鋼線中的一種。

5.如權利要求1所述的顯示鑄態高氮奧氏體不銹鋼晶界的腐蝕方法，其特征在于，所述的步驟3中，所述的沖洗為依次用水和無水乙醇對高氮奧氏體不銹鋼試樣進行沖洗。