[發明專利]布線結構及其形成方法和形成掩模布局的方法

有效

• 申請號: 201611115396.X
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN106847677B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 吳寅旭;李鐘弦;黃盛昱
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

本發明提供了一種形成掩模布局的方法、一種形成布線結構的方法和一種布線結構。所述形成掩模布局的方法包括：形成包括下布線結構圖案和偽下布線結構圖案的第一掩模的布局。形成與第一掩模重疊并且包括上布線結構圖案和偽上布線結構圖案的第二掩模的布局。形成包括第一過孔結構圖案和第一偽過孔結構圖案的第三掩模的布局。形成包括第二過孔結構圖案和第二偽過孔結構圖案的第四掩模的布局。第二過孔結構圖案可與下布線結構圖案和上布線結構圖案共同地重疊，并且第二偽過孔結構圖案可與偽下布線結構圖案和偽上布線結構圖案共同地重疊。第四掩?？膳c第三掩模重疊。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2015年12月7日在韓國知識產權局(KIPO)提交的韓國專利申請No.10-2015-0173131的優先權，該申請的公開以引用方式全文并入本文中。

技術領域

本發明構思的示例性實施例涉及一種布線結構，并且更具體地說，涉及一種形成布線結構的方法。

背景技術

在集成的半導體裝置中，下布線和上布線以及將下布線和上布線彼此連接的過孔可具有相對小的尺寸。在光刻工藝和/或蝕刻工藝中，過孔可能會不具有期望的尺寸和/或形狀?？墒褂霉鈱W鄰近校正(OPC)以形成過孔，然而，當過孔具有極小的尺寸時，即使利用OPC，具有極小尺寸的過孔也可能不形成為具有期望的尺寸和/或形狀。

發明內容

根據本發明構思的一個或多個示例性實施例，一種形成掩模布局的方法包括：形成包括下布線結構圖案和偽下布線結構圖案的第一掩模的布局。形成與第一掩模重疊并且包括上布線結構圖案和偽上布線結構圖案的第二掩模的布局。形成包括第一過孔結構圖案和第一偽過孔結構圖案的第三掩模的布局。第一過孔結構圖案可與下布線結構圖案和上布線結構圖案共同地重疊，并且第一偽過孔結構圖案可與偽下布線結構圖案和偽上布線結構圖案共同地重疊。形成包括第二過孔結構圖案和第二偽過孔結構圖案的第四掩模的布局。第二過孔結構圖案可與下布線結構圖案和上布線結構圖案共同地重疊，并且第二偽過孔結構圖案可與偽下布線結構圖案和偽上布線結構圖案共同地重疊。第四掩?？膳c第三掩模重疊。

根據本發明構思的一個或多個示例性實施例，一種形成掩模布局的方法包括：形成包括下布線結構圖案和偽下布線結構圖案的第一掩模的布局。形成與第一掩模重疊并且包括上布線結構圖案和偽上布線結構圖案的第二掩模的布局。形成包括第一過孔結構圖案和第一偽過孔結構圖案的第三掩模的布局。第一過孔結構圖案可與下布線結構圖案和上布線結構圖案共同地重疊，并且第一偽過孔結構圖案可與偽下布線結構圖案和偽上布線結構圖案共同地重疊。第一偽過孔結構圖案可包括多個第一偽過孔圖案和多個第二偽過孔圖案。第一偽過孔圖案中的每一個可具有小于預定尺寸的尺寸，并且第二偽過孔圖案中的每一個可具有等于或大于預定尺寸的尺寸。在第一過孔結構圖案和第一偽過孔圖案上執行第一OPC。形成與第三掩模重疊并且包括第二過孔結構圖案和第二偽過孔結構圖案的第四掩模的布局。第二過孔結構圖案可與下布線結構圖案和上布線結構圖案共同地重疊，并且第二偽過孔結構圖案可與偽下布線結構圖案和偽上布線結構圖案共同地重疊。第二偽過孔結構圖案可包括多個第三偽過孔圖案和多個第四偽過孔圖案。第三偽過孔圖案中的每一個可具有小于預定尺寸的尺寸，并且第四偽過孔圖案中的每一個可具有等于或大于預定尺寸的尺寸。在第二過孔結構圖案和第三偽過孔圖案上執行第二OPC。