[發明專利]布線結構及其形成方法和形成掩模布局的方法

有效

• 申請號: 201611115396.X
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN106847677B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 吳寅旭;李鐘弦;黃盛昱
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種形成掩模布局的方法，該方法包括：

形成包括下布線結構圖案和偽下布線結構圖案的第一掩模的布局；

形成包括上布線結構圖案和偽上布線結構圖案的第二掩模的布局，第二掩模與第一掩模重疊；

形成包括第一過孔結構圖案和第一偽過孔結構圖案的第三掩模的布局，第一過孔結構圖案與下布線結構圖案和上布線結構圖案共同地重疊，并且第一偽過孔結構圖案與偽下布線結構圖案和偽上布線結構圖案共同地重疊；以及

形成與第三掩模重疊并且包括第二過孔結構圖案和第二偽過孔結構圖案的第四掩模的布局，第二過孔結構圖案與下布線結構圖案和上布線結構圖案共同地重疊，并且第二偽過孔結構圖案與偽下布線結構圖案和偽上布線結構圖案共同地重疊，

其中，第一偽過孔結構圖案包括多個第一偽過孔圖案和多個第二偽過孔圖案，第一偽過孔圖案中的每一個具有小于預定尺寸的尺寸，并且第二偽過孔圖案中的每一個具有等于或大于預定尺寸的尺寸，第一偽過孔圖案比第二偽過孔圖案相對更靠近第一過孔結構圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在第三掩模上執行第一光學鄰近校正；以及

在第四掩模上執行第二光學鄰近校正。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，在第三掩模上執行第一光學鄰近校正的步驟包括：在第一過孔結構圖案和第一偽過孔圖案上執行第一光學鄰近校正。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，偽下布線結構圖案包括多個第一偽下布線圖案和多個第二偽下布線圖案，第一偽下布線圖案中的每一個具有小于預定尺寸的尺寸，并且第二偽下布線圖案中的每一個具有等于或大于預定尺寸的尺寸，

其中，偽上布線結構圖案包括多個第一偽上布線圖案和多個第二偽上布線圖案，第一偽上布線圖案中的每一個具有小于預定尺寸的尺寸，并且第二偽上布線圖案中的每一個具有等于或大于預定尺寸的尺寸，

并且其中，第一偽過孔圖案中的每一個與第一偽下布線圖案和第一偽上布線圖案中的至少一個重疊。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，第一偽過孔圖案中的每一個與第一偽下布線圖案之一和第二偽上布線圖案之一共同地重疊，或者與第二偽下布線圖案之一和第一偽上布線圖案之一共同地重疊。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，第一偽過孔結構圖案、偽下布線結構圖案和偽上布線結構圖案中的每一個在平面圖中具有矩形形狀或方形形狀，并且將第一偽過孔結構圖案、偽下布線結構圖案和偽上布線結構圖案中的每一個的尺寸限定為矩形的相對較短的邊的長度或者方形的邊的長度。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，第一偽下布線圖案比第二偽下布線圖案相對更靠近第一過孔結構圖案，并且第一偽上布線圖案比第二偽上布線圖案相對更靠近第一過孔結構圖案。

8.根據權利要求4所述的方法，還包括：

在下布線結構圖案和第一偽下布線圖案上執行第三光學鄰近校正，以及

在上布線結構圖案和第一偽上布線圖案上執行第四光學鄰近校正。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，第一光學鄰近校正、第三光學鄰近校正和第四光學鄰近校正包括擴大第一過孔結構圖案、下布線結構圖案和上布線結構圖案的尺寸并處理第一過孔結構圖案、下布線結構圖案和上布線結構圖案的拐角，

并且其中，第一光學鄰近校正包括擴大第一偽過孔圖案的尺寸。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，第三光學鄰近校正和第四光學鄰近校正包括擴大第一偽下布線圖案和第一偽上布線圖案的尺寸。

11.根據權利要求2所述的方法，其中，第二偽過孔結構圖案包括多個第三偽過孔圖案和多個第四偽過孔圖案，第三偽過孔圖案中的每一個具有小于預定尺寸的尺寸，并且第四偽過孔圖案中的每一個具有等于或大于預定尺寸的尺寸，

并且其中，執行第二光學鄰近校正的步驟包括在第二過孔結構圖案和第三偽過孔圖案上執行第二光學鄰近校正。