[發明專利]半導體器件以及集成電路

有效

• 申請號: 201611115120.1
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN107039431B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 梁孟松;石城大;裵金鐘
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/11
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

本公開提供半導體器件以及集成電路。一種半導體器件包括：提供在基板上的第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管，第一晶體管至第三晶體管的每個包括彼此間隔開的源漏區域、在基板上在第一方向上延伸并插置在源漏區域之間的柵結構、以及將源漏區域連接到彼此的溝道區。第二晶體管的溝道區和第三晶體管的溝道區的每個包括多個溝道部分，所述多個溝道部分在垂直于基板的上表面的第二方向上彼此間隔開并分別連接到源漏區域。第三晶體管的溝道部分在第一方向上的寬度大于第二晶體管的溝道部分在第一方向上的寬度。

技術領域

示例實施方式涉及半導體器件，具體地，涉及包括場效應晶體管的半導體器件。

背景技術

由于小尺寸、多功能和/或低成本的特性，半導體器件在電子產業中被廣泛地使用。半導體器件可以分為存儲邏輯數據的存儲器件、處理該邏輯數據的邏輯器件、以及包括存儲器件和邏輯器件兩者的混合器件。為了滿足對具有快速度和/或低功耗的電子裝置的增加的需求，發展了具有高可靠性、高性能和/或多功能的半導體器件，這會增加半導體器件的復雜性和/或集成密度。

發明內容

一個或更多示例實施方式可以提供一種半導體器件，該半導體器件包括其電特性被改善的場效應晶體管。

根據示例實施方式的一方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：提供在基板上的第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管，第一晶體管至第三晶體管的每個包括彼此間隔開的源區和漏區、在基板上在第一方向上延伸并插置在源區和漏區之間的柵結構、以及將源區和漏區連接到彼此的溝道區，其中第二晶體管的溝道區和第三晶體管的溝道區的每個包括多個溝道部分，所述多個溝道部分在垂直于基板的上表面的第二方向上彼此間隔開并分別連接到源區和漏區，其中第三晶體管的溝道部分在第一方向上的寬度大于第二晶體管的溝道部分在第一方向上的寬度。

根據另一示例實施方式的一方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：提供在基板上的第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管，第一晶體管至第三晶體管的每個包括彼此間隔開的源區和漏區、在基板上在第一方向上延伸并插置在源區和漏區之間的柵結構、以及將源區和漏區連接到彼此的溝道區，其中第一晶體管的溝道區具有從基板的上表面突出的鰭的形狀，其中第二晶體管的溝道區和第三晶體管的溝道區的每個包括多個溝道部分，所述多個溝道部分在垂直于基板的上表面的第二方向上彼此間隔開并分別連接到源區和漏區。

根據另一示例實施方式的一方面，提供一種集成電路，該集成電路包括在半導體基板上限定的單元，所述單元包括：在半導體基板上在第一方向上延伸的第一有源區和第二有源區，第一有源區和第二有源區的每個包括彼此間隔開的源區和漏區以及將源區和漏區連接到彼此的溝道區；以及在半導體基板上在第二方向上延伸以交叉第一有源區的第一柵結構以及在半導體基板上在第二方向上延伸以交叉第二有源區的第二柵結構，第二方向垂直于第一方向，其中第一有源區中的溝道區在第一方向上的寬度不同于第二有源區中的溝道區在第一方向上的寬度。

附圖說明

通過參照附圖描述某些示例實施方式，以上和/或其它的方面將更加明顯。

圖1是示出根據示例實施方式的半導體器件的平面圖。

圖2A示出沿圖1的線A-A'和線B-B'截取的截面圖。

圖2B示出沿圖1的線C-C'和線D-D'截取的截面圖。

圖2C示出沿圖1的線E-E'和線F-F'截取的截面圖。

圖3A、4A、5A、6A、7A和8A是根據示例實施方式的沿圖1的線A-A'和線B-B'截取的截面圖。

圖3B、4B、5B、6B、7B和8B是根據示例實施方式的沿圖1的線C-C'和線D-D'截取的截面圖。

圖3C、4C、5C、6C、7C和8C是根據示例實施方式的沿圖1的線E-E'和線F-F'截取的截面圖。